N型双面电池制造技术

本实用新型专利技术公开了N型双面电池，包括N型基体，N型基体，一侧依次设置有重掺杂发射极区域、轻掺杂发射极区域、正面钝化减反膜、正面电极，另一侧依次设置有背面钝化减反膜和背面电极，并且背面电极与N型基体连接的位置处设有局部掺杂背表面场，其中：正面电极穿过正面钝化减反膜与重掺杂发射极形成欧姆接触；背面电极穿过背面钝化减反膜与局部磷掺杂背表面场形成欧姆接触。本实用新型专利技术的N型双面电池，在金属区域下增加掺杂浓度和减少接触面积来降低金属区域的复合，减少掺杂区域面积降低掺杂区域复合，从而减少整体复合，提高电池的性能。

N type double sided battery

The utility model discloses a N type double sided battery, including type N matrix, N matrix, one side is arranged with a heavily doped emitter region, lightly doped emitter region, positive passivation and anti reflection film, positive electrode, the other side is arranged with a backside passivation and anti reflection film and the back electrode position and back electrode with the N type matrix connected with a local doped back surface field, including: the positive electrode through positive passivation and anti reflection film and the heavily doped emitter ohmic contact; the back electrode through a back surface passivation and anti reflection film and the local phosphorus doped back surface field ohmic contact. N type double sided battery of the utility model, the metal area under increasing doping concentration and reducing the contact area to reduce the composite metal area, reduce the area of lower doping doping region compound, thereby reducing the overall composite, improve the performance of the battery.

【技术实现步骤摘要】
N型双面电池
本技术涉及N型电池
，特别是涉及N型双面电池。
技术介绍
N型硅材料具有以下的优点：（1）N型材料中的杂质对少子空穴的捕获能力低于P型材料中的杂质对少子电子的捕获能力。相同电阻率的N型硅片的少子寿命比P型硅片的高，达到毫秒级。（2）N型硅片对金属污杂的容忍度要高于P型硅片，Fe、Cr、Co、W、Cu、Ni等金属对P型硅片的影响均比N型硅片大。（3）N型硅电池组件在弱光下表现出比常规P型硅组件更优异的发电特性。但是其在使用时，金属区域和掺杂区域存在着严重的复合，降低电池的发电能力。
技术实现思路
为了克服上述现有技术的不足，本技术提供了一种N型双面电池，解决了现有技术中存在的问题。在N型双面电池中制约效率的主要因素是金属区域和掺杂区域带来的复合，本技术采用在金属区域下增加掺杂浓度和减少接触面积来降低金属区域的复合，减少掺杂区域的面积来减少掺杂区域的复合。本技术所采用的技术方案是：N型双面电池，包括N型基体，N型基体，一侧依次设置有的重掺杂发射极区域、轻掺杂发射极区域、正面钝化减反膜、正面电极，另一侧依次设置有背面钝化减反膜和背面电极，并且背面电极与N型基体连接的位置处设有局部掺杂背表面场；其中：正面电极穿过正面钝化减反膜与重掺杂发射极形成欧姆接触；背面电极穿过背面钝化减反膜与局部掺杂背表面场形成欧姆接触。进一步地，局部掺杂背表面场由若干个直线形或线段形或者圆形或不规则形背表面场单元排列而成，背表面场单元上形成局部接触电极后，由若干连接栅线连接，若干连接栅线之间再通过若干主栅线连接汇流；并且连接栅线和主栅线均不与局部掺杂区域形成欧姆接触。进一步地，局部接触电极为直线或线段时，宽度为10-100μm；为圆形时，直径为30-100μm；连接栅线宽度为20μm-100μm，主栅线宽度为0.5mm-1.5mm。进一步地，局部掺杂背表面场的直线或线段宽度为80微米-600微米，圆点直径为200微米-600微米，背面局部掺杂区域占电池背面面积的4%-30%。进一步地，局部掺杂背表面场的方阻为10-70ohm/sq。进一步地，重掺杂发射极区域由若干个直线形或线段形或者圆形发射极单元排列而成，每一个发射单元的宽度或者直径为微米80-300微米，重掺杂区域的面积占正表面面积的4%-30%。进一步地，重掺杂发射极单元上形成局部接触电极后，若干局部接触电极之间通过若干连接栅线连接，若干连接栅线之间通过一系列主栅线汇流，并且连接栅线、主栅线不与重掺杂发射极和轻掺杂发射极形成欧姆接触。进一步地，重掺杂发射极上局部接触电极为直线形或线段形时，其宽度为10-100μm；圆形时，直径为30-100μm；连接栅线宽度为20μm-100μm，主栅线宽度为0.5mm-1.5mm。进一步地，轻掺杂发射极的方阻为90-250ohm/sq。进一步地，重掺杂发射极的方阻为10-50ohm/sq。进一步地，正面钝化减反膜为SiNx、SiO2、TiO2、Al2O3、SiOxNy薄膜中的一种或者多种，并且其厚度为50-90nm。进一步地，背面钝化减反膜为SiNx、SiO2、TiO2、Al2O3、SiOxNy薄膜中的一种或者多种，并且其厚度为50-90nm。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术的一种N型双面电池。本技术采用在金属区域下增加掺杂浓度和减少接触面积来降低金属区域的复合，金属区域的复合与表面掺杂浓度成反比,与接触面积成正比。掺杂区域的表面复合速率要高于未掺杂区域，减少掺杂区域降低掺杂区域的复合，从而大大减少了电池的复合，最终提高电池的发电效率。附图说明图1为N型双面电池侧面的结构图；图2为N型双面电池的重掺杂发射极区域的发射单元为直线形的实施例的正面结构图；图3为N型双面电池的重掺杂发射极区域的发射单元为线段形的正面结构图；图4为N型双面电池的重掺杂发射极区域的发射单元为圆形的正面结构图；图5为N型双面电池的局部背表面场单元为直线型形的结构图；图6为N型双面电池的局部背表面场单元为线段形的结构图；图7为N型双面电池的局部背表面场单元为圆形的结构图；图8为N型双面电池的重掺杂发射极单元为直线形的正面结构金属化示意图；图9为N型双面电池的重掺杂发射极单元为线段形的正面结构金属化示意图；图10为N型双面电池的重掺杂发射极单元为圆形的正面结构金属化示意图；图11为N型双面电池的局部背表面场为直线形的背表面金属化结构示意图；图12为N型双面电池的局部背表面场为线段形的背表面金属化结构示意图；图13为N型双面电池的局部背表面场为圆形的背表面金属化结构示意图；其中：1-N型基体，2-重掺杂发射极，21-发射极单元；3-轻掺杂发射极，4-正面钝化减反膜，5-正面电极，6-局部掺杂背表面场，61-局部掺杂背表面场单元；7-背面钝化减反膜，8-背面电极，9-主栅线，10-连接栅线,11-局部接触电极。具体实施方式为了加深对本技术的理解，下面结合附图和实施例对本技术进一步说明，该实施例仅用于解释本技术，并不对本技术的保护范围构成限定。实施例1如图1所示，N型双面电池，包括N型基体1，N型基体1，一侧依次设置有的重掺杂发射极区域2、轻掺杂发射极区域3、正面钝化减反膜4、正面电极5，另一侧依次设置有背面钝化减反膜7和背面电极8，并且背面电极8与N型基体１连接的位置处设有局部掺杂背表面场6；其中：正面电极5穿过正面钝化减反膜4与重掺杂发射电极2形成欧姆接触；背面电极8穿过背面钝化减反膜7与局部掺杂背表面场6形成欧姆接触；在上述实施例中，局部掺杂背表面场6由若干个直线形或线段形或者圆形或不规则形背表面场单元61排列而成，背表面场单元61上形成局部接触电极后，由若干连接栅线10连接，若干连接栅线10之间再通过若干主栅线9连接汇流；并且连接栅线和主栅线均不与背面局部掺杂区域形成欧姆接触。在上述实施例中，局部接触电极11为直线或线段时，宽度为10-100μm；为圆形时，直径为30-100μm；连接栅线宽度为20μm-100μm，主栅线宽度为0.5mm-1.5mm。局部掺杂背表面场6为直线或线段时宽度为80微米-600微米，为圆点时直径为200微米-600微米，背面局部掺杂区域占电池背面面积的4%-30%。局部掺杂背表面场的6方阻为10-70ohm/sq。在上述实施例中，参见图2、图3和图4，重掺杂发射极2由若干个直线形或线段形或者圆形发射单元21排列而成，每一个发射单元21的宽度或者直径为80微米-300微米，整体布置占正表面面积的4%-30%。如图8、图9和图10所述，重掺杂发射电极2的排列发射单元21上形成局部接触电极11，若干局部接触电极11之间通过若干连接栅线10连接，若干连接栅线10之间通过一系列主栅线9汇流，并且连接栅线10、主栅线9不与重掺杂发射极2和轻掺杂发射极3形成欧姆接触。重掺杂发射极单元21上的局部接触电极11为直线形或线段形时，其宽度为10-100μm；圆形时，直径为30-100μm；连接栅线10宽度为20μm-100μm，主栅线9宽度为0.5mm-1.5mm。轻掺杂发射电极3的方阻为90-250ohm/sq。重掺杂发射电极2的方阻为10-50ohm/sq。此外，正面钝化减反膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
N型双面电池，其特征在于：包括N型基体（1），N型基体（1），一侧依次设置有的重掺杂发射极区域（2）、轻掺杂发射极区域（3）、正面钝化减反膜（4）、正面电极（5），另一侧依次设置背面钝化减反膜（7）和背面电极（8），并且背面电极8与N型基体１连接的位置处设有局部掺杂背表面场（6）；其中：正面电极（5）穿过正面钝化减反膜（4）与重掺杂发射极（2）形成欧姆接触；背面电极（8）穿过背面钝化减反膜（7）与局部掺杂背表面场（6）形成欧姆接触。

【技术特征摘要】
1.N型双面电池，其特征在于：包括N型基体（1），N型基体（1），一侧依次设置有的重掺杂发射极区域（2）、轻掺杂发射极区域（3）、正面钝化减反膜（4）、正面电极（5），另一侧依次设置背面钝化减反膜（7）和背面电极（8），并且背面电极8与N型基体１连接的位置处设有局部掺杂背表面场（6）；其中：正面电极（5）穿过正面钝化减反膜（4）与重掺杂发射极（2）形成欧姆接触；背面电极（8）穿过背面钝化减反膜（7）与局部掺杂背表面场（6）形成欧姆接触。2.根据权利要求1所述的N型双面电池，其特征在于：局部掺杂背表面场（6）由若干个直线形或线段形或者圆形或不规则形局部掺杂背表面场单元（61）排列而成，局部掺杂背表面场单元（61）上形成局部接触电极（11）后，由若干连接栅线（10）连接，若干连接栅线（10）之间再通过若干主栅线（9）连接汇流；并且连接栅线和主栅线均不与局部掺杂背表面场(6)形成欧姆接触。3.根据权利要求2所述的N型双面电池，其特征在于：局部接触电极（11）为直线或线段时，宽度为10-100μm；为圆形时，直径为30-100μm；连接栅线宽度为20μm-100μm，主栅线宽度为0.5mm-1.5mm。4.根据权利要求2所述的N型双面电池，其特征在于：局部掺杂背表面场单元（61）的直线或线段宽度为80微米-600微米，圆点直径为200微米-600微米，背面局部掺杂区域占电池背面面积的4%-30%。5.根据权利要求1-4任意一项所述的N型双面电池，其特征在于：局部掺杂背表面场（6）的方阻为10-70ohm/sq。6.根据权利要求1所述的N型双面电池，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：李华，鲁伟明，
申请(专利权)人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32