半导体晶圆处理设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体晶圆处理设备，包括：半导体处理模块、流体承载模块、流体传送模块和电气控制模块，所述半导体处理模块包括用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括一个或多个供流体进入所述微腔室的入口和一个或多个供流体排出所述微腔室的出口；所述流体承载模块包括多个储流罐；所述流体传送模块包括多个流体传送装置及流体通道选择装置，所述多个储流罐与微腔室的入口和出口分别通过管道与流体通道选择装置连接；所述电气控制模块与其余各模块电连接，用于控制整个设备的运转；半导体晶圆处理设备还包括流体处理模块，可以通过流体处理模块对流体进行预处理，方便对用于处理半导体晶圆的流体进行在线预处理。

Semiconductor wafer processing equipment

The utility model discloses a semiconductor wafer processing device includes: a semiconductor processing module, fluid bearing module, fluid transmission module and electrical control module, wherein the semiconductor processing module for receiving and processing the micro chamber including a semiconductor wafer, the micro chamber entrance includes one or more for fluid entering the micro chamber and one or more for the micro fluid discharge chamber outlet; the fluid bearing module includes a plurality of storage tank flow; the fluid delivery module comprises a plurality of fluid conveying device and a fluid channel selection device, the entrance and exit of the plurality of storage tank and micro flow chamber respectively through the pipeline and the fluid channel selection device; the electric control module is connected with the rest of the power module, used to control the operation of equipment; semiconductor wafer processing device also includes a fluid at The fluid processing module can be used to preprocess the fluid, so as to facilitate on-line pretreatment of the fluid used to process the semiconductor wafer.

【技术实现步骤摘要】
半导体晶圆处理设备
本技术涉及半导体晶圆或相似工件的表面处理领域，特别设计一种用于化学处理半导体晶圆表面，以及清洁、蚀刻及其它类似处理的设备。
技术介绍
在利用晶圆生产集成电路的过程中，需要经过多次的清洗、蚀刻等处理，上述处理的方法主要可以分为干法和湿法，其中湿法处理是现有技术中应用最广泛的方法，现有的湿法工艺主要包括化学溶液浸没以及喷射法两种。由本案申请人申请的公开号为CN103187338A的专利技术专利公开了一种模块化半导体处理设备，其包括半导体处理模块、流体传送模块、流体承载模块和电气控制模块。所述半导体处理模块包括用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括一个或多个供流体进入所述微腔室的入口和一个或多个供流体排出所述微腔室的出口。所述流体传送模块用于将各种流体通过管道和所述微腔室出入口引导至所述流体承载模块或所述微腔室，所述电气控制模块用于控制所述半导体处理腔室和所述流体传送模块。所述半导体处理装置具有体积较小、结构简单、组装方便灵活、组件更换方便等优点。但是由于其仅仅具有半导体处理模块、流体传送模块、流体承载模块和电气控制模块，所以其能够处理的湿法工艺有限，而现有的湿法工艺在不断进步，对湿法处理的流体的温度，甚至流体的种类(不仅仅限于液体和/或气体，还包括气液混合流体等)都提出了更高的要求。
技术实现思路
本技术提供一种半导体晶圆处理设备，其对于半导体晶圆的湿法处理工艺具有更广泛的适应性。为解决上述技术问题，本技术提供的一种半导体晶圆处理设备，其技术方案为：包括：半导体处理模块、流体承载模块、流体传送模块和电气控制模块，所述半导体处理模块包括用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括一个或多个供流体进入所述微腔室的入口和一个或多个供流体排出所述微腔室的出口；所述流体承载模块包括多个储流罐；所述流体传送模块包括多个流体传送装置及流体通道选择装置，所述多个储流罐与微腔室的入口和出口分别通过管道与流体通道选择装置连接；所述电气控制模块与其余各模块电连接，用于控制整个设备的运转；所述半导体晶圆处理设备还包括流体处理模块。采用上述结构的，可以通过流体处理模块对流体进行预处理，对用于处理半导体晶圆的流体进行在线预处理。进一步的，所述流体处理模块包括气液混合装置，所述气液混合装置设置在储流罐与微腔室的入口之间的管道上。以便实现气态流体和液态流体混合后处理半导体晶圆。进一步的，所述半导体处理模块为两个，分别位于所述半导体晶圆处理设备顶部的两侧。采用合理的结构设计，使得同一设备上同时进行两片晶圆的处理，提高了处理效率。进一步的，所述两个半导体处理模块直接设置有所述流体处理模块的臭氧发生装置，所述臭氧发生装置的出口与气液混合装置的气体入口连接、或者所述臭氧发生装置的出口与微腔室的入口直接连接。以便于在线生成臭氧直接对晶圆进行处理，或者在线生成臭氧溶液对晶圆进行处理。进一步的，所述流体处理模块还包括能够对流体进行加热和/或冷却的加热装置和/或冷却装置。进一步的，其特征在于，包括：第一支撑单元、可移动单元、第二支撑单元、第三支撑单元及多根支柱；其特征在于：所述第一支撑单元包括：水平设置的第一支撑板，及固定设置在第一支撑板上方的支撑环；所述可移动单元通过所述第一支撑单元支撑，包括：驱动装置；移动座：所述移动座呈圆柱状，移动座的上部和下部分别设有环状的上凹环及下凹环，所述移动座的下凹环与所述支撑环互相可滑动地套合，形成一个套合空间，所述驱动装置设置在所述套合空间内，且分别与所述移动座的下方以及第一支撑板的上方固定连接；所述移动座、支撑环、以及移动座的上凹环和下凹环的圆心同轴；以及下腔室：所述下腔室设置在移动座的上凹环内；所述第二支撑单元包括：水平设置的第二支撑板，所述第二支撑板与第一支撑板之间通过所述多根支柱固定连接；及上腔室，所述上腔室通过开设在第二支撑板上的穿孔定位且由第二支撑板支撑，所述上腔室的位置与下腔室对应，两者结构上经过合理设计，上腔室与下腔室接触时形成处理半导体晶圆的微腔室；所述第三支撑单元经结构设计以施加压力至所述上腔室以水平且良好地定位上腔室，包括：第三支撑板，所述第三支撑板通过所述多根支柱固定连接，且具有施加压力至所述上腔室的多个螺钉、加强结构或可移动零件。采用上述结构，可以通过驱动装置来驱动所述移动座沿支撑环上下滑动，以提升设置于移动座上凹环内的下腔室，使得下腔室与上腔室接触形成微腔室或分离打开通过下凹环以及支撑环的相互套合，来限定下腔室上下移动时的水平位置及方向，相比现有技术中通过设置在下支撑板或下盒的角或边缘的轮子导引，整个装置结构简单，且更加容易保证水平度。进一步的，所述各模块通过机架设置在设备内部，所述机架外围设有机壳。进一步的，所述电气控制模块通过隔板与其余模块隔离。进一步的，所述隔板和/或机壳上设有若干排风装置。采用上述结构设计，使得设备的各个模块之间有足够的隔离措施，以防止设备可能出现的泄漏情况对设备，尤其是控制模块造成破坏，并且建立排风装置，使得在处理过程中产生的一些泄漏的气体能够及时从设备中排出，以免腐蚀或破坏设备。附图说明图1揭示了一种本技术的半导体晶圆处理设备的正面结构示意图；图2揭示了图1所示半导体晶圆处理设备的背面结构示意图；图3揭示了图1所示半导体晶圆处理设备的侧面结构示意图；图4揭示了图1所示半导体晶圆处理设备的正面内部结构(省去正面外壳)示意图；图5揭示了图1所示半导体晶圆处理设备的背面内部结构(省去背面外壳)示意图；图6揭示了图1所示半导体晶圆处理设备的侧面内部结构(省去侧面外壳)示意图；图7揭示了本技术的一种实施方式中一种具体的半导体处理模块结构示意图；图8揭示了图7所示半导体处理模块一种实施方式的A-A剖面示意图；图9是图8的分解图；图10是图8的B区域的局部放大图；图11是本技术图7在另一种实施例中的A-A截面的剖视图。具体实施方式为详细说明本技术的
技术实现思路
、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合图式予以详细说明。本说明书中所称的“一个实施例”或“实施例”或“另一个实施例”是指与所述实施例相关的特定特征、结构或特性至少可包含于本技术至少一个实现方式中。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”或“在另一个实施例”并非必须都指同一个实施例，也不必须是与其他实施例互相排斥的单独或选择实施例。本技术中的“多个”表示两个或两个以上、“若干”表示一个或一个以上。本技术中的“和/或”表示“和”或者“或”。请参考图1-6在一个具体的实施例中，本技术包括：半导体处理模块100、流体承载模块200、流体传送模块300和电气控制模块400，所述半导体处理模块100包括用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室，微腔室包括一个或多个供流体进入所述微腔室的入口和一个或多个供流体排出所述微腔室的出口；所述流体承载模块200包括多个储流罐201，还可以包括若干个设置在储流罐201下方的称量装置202，和/或设置在储流罐201内部的液位监控装置(图中省略)；储流罐201中一个或多个用于储存未使用的化学流体；一个或多个用于储存从微腔室中排出的使用后的化学流体，其中，一个或多个储存使用后的化学流体的储流罐201可以通过管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体晶圆处理设备，包括：半导体处理模块、流体承载模块、流体传送模块和电气控制模块，所述半导体处理模块包括用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括一个或多个供流体进入所述微腔室的入口和一个或多个供流体排出所述微腔室的出口；所述流体承载模块包括多个储流罐；所述流体传送模块包括多个流体传送装置及流体通道选择装置，所述多个储流罐与微腔室的入口和出口分别通过管道与流体通道选择装置连接；所述电气控制模块与其余各模块电连接，用于控制整个设备的运转；其特征在于：所述半导体晶圆处理设备还包括流体处理模块。

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆处理设备，包括：半导体处理模块、流体承载模块、流体传送模块和电气控制模块，所述半导体处理模块包括用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括一个或多个供流体进入所述微腔室的入口和一个或多个供流体排出所述微腔室的出口；所述流体承载模块包括多个储流罐；所述流体传送模块包括多个流体传送装置及流体通道选择装置，所述多个储流罐与微腔室的入口和出口分别通过管道与流体通道选择装置连接；所述电气控制模块与其余各模块电连接，用于控制整个设备的运转；其特征在于：所述半导体晶圆处理设备还包括流体处理模块。2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆处理设备，其特征在于，所述流体处理模块包括气液混合装置，所述气液混合装置设置在储流罐与微腔室的入口之间的管道上。3.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆处理设备，其特征在于，所述半导体处理模块为两个，分别位于所述半导体晶圆处理设备顶部的两侧。4.根据权利要求1或2所述的一种半导体晶圆处理设备，其特征在于，所述两个半导体处理模块直接设置有所述流体处理模块的臭氧发生装置，所述臭氧发生装置的出口与气液混合装置的气体入口连接、或者所述臭氧发生装置的出口与微腔室的入口直接连接。5.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆处理设备，其特征在于，所述流体处理模块还包括能够对流体进行加热和/或冷却的加热装置和/或冷却装置。6.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆处理设备，其特征在于，包括：第一支撑单元、可移动单元、第二支撑单元、第三支撑单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：温子瑛，王吉，
申请(专利权)人：无锡华瑛微电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32