一种半导体器件及其制备方法和电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种半导体器件及其制备方法和电子装置。所述方法包括：提供晶圆，在所述晶圆上形成有若干相互间隔的图像传感器器件；在所述晶圆和所述图像传感器器件的上方隔离地形成涂覆支撑结构，以在所述涂覆支撑结构与所述晶圆之间形成隔离空间，并且所述涂覆支撑结构中形成有孔结构；在所述涂覆支撑结构上涂覆干燥固化胶并填充所述孔结构；在所述孔结构的上方通过空气喷枪将所述孔结构中的所述干燥固化胶喷射至所述晶圆上，以形成环绕所述图像传感器器件的保护环。所述方法避免了所述涂覆支撑结构(例如金属滤网)与所述晶圆和所述图形传感器器件直接接触，避免了工艺过程造成晶圆表面缺陷的问题，使CMOS图像传感器的性能和良率进一步提高。

A semiconductor device and its preparation method and electronic device

The invention relates to a semiconductor device, a preparation method and an electronic device thereof. The method comprises providing a wafer, a image sensor device a plurality of mutually spaced formed on the wafer; above the wafer and the image sensor device to form a coated isolation support structure to form an isolation space between the coated support structures and the wafer, and the coated support the pore structure formed on the coating structure; the supporting structure coating drying curing adhesive and filling the pore structure; in the upper part of the pore structure through the air spray drying and curing glue the hole structure of the jet to the crystal circle, to form a protective ring around the image sensor device the. The method avoids the coated support structure (e.g. metal screen) in direct contact with the wafer and the image sensor device, avoid the wafer surface defects caused by process problems, the performance of CMOS image sensor and further improve the yield rate.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制备方法和电子装置
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件及其制备方法和电子装置。
技术介绍
通常，图像传感器是将光学图像转换成电信号的半导体器件。图像传感器包括电荷耦合器件(CCD)和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。由于CMOS图像传感器(CIS)具有改善的制造技术和特性，因此半导体制造技术各方面都集中于开发CMOS图像传感器。CMOS图像传感器利用CMOS技术制造，并且具有较低功耗，更容易实现高度集成，制造出尺寸更小的器件，因此，CMOS图像传感器广泛的应用于各种产品，例如数字照相机和数字摄像机等。在CMOS图像传感器中通常会形成围坝胶(DAM)以保护所述滤光膜和所述CMOS器件，但是所述工艺过程造成晶圆表面缺陷非常高，使CMOS图像传感器的性能和良率受到很大影响。因此，有必要提出一种新的CMOS图像传感器的制备方法，以解决现有的技术问题。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供晶圆，在所述晶圆上形成有若干相互间隔的图像传感器器件；在所述晶圆和所述图像传感器器件的上方隔离地形成涂覆支撑结构，以在所述涂覆支撑结构与所述晶圆之间形成隔离空间，并且所述涂覆支撑结构中形成有孔结构；在所述涂覆支撑结构上涂覆干燥固化胶并填充所述孔结构；在所述孔结构的上方通过空气喷枪将所述孔结构中的所述干燥固化胶喷射至所述晶圆上，以形成环绕所述图像传感器器件的保护环。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供晶圆，在所述晶圆上形成有若干相互间隔的图像传感器器件；在所述晶圆和所述图像传感器器件的上方隔离地形成涂覆支撑结构，以在所述涂覆支撑结构与所述晶圆之间形成隔离空间，并且所述涂覆支撑结构中形成有孔结构；在所述涂覆支撑结构上涂覆干燥固化胶并填充所述孔结构；在所述孔结构的上方通过空气喷枪将所述孔结构中的所述干燥固化胶喷射至所述晶圆上，以形成环绕所述图像传感器器件的保护环。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述空气喷枪的压力为0.19～0.24MPa。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述空气喷枪的喷射直径为180-...

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟，郑超，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31