RGBIR图像传感器制造技术
RGBIR image sensor
The invention provides a RGBIR image sensor, which comprises a N type substrate; in N epitaxial layer on a substrate; comprises a plurality of first N type region of the epitaxial layer, as the photodiode area image sensor; RGBIR color filter array; light through the RGBIR array in N type substrate formed in redundant electronics on the N substrate, and positive pressure, extraction to prevent redundant electronic transfer to the surrounding pixel unit, reduce crosstalk between the photodiode. RGBIR image sensor of the invention, the N substrate to replace the P type substrate in the prior art, and is pressed on the N substrate, N substrate in electronic redundant extraction to prevent metastasis to the surrounding pixel unit, reducing crosstalk between the photodiode, improve the image brightness, improve image quality.
【技术实现步骤摘要】
RGBIR图像传感器
本专利技术涉及图像处理领域，尤其涉及一种RGBIR图像传感器。
技术介绍
现有的RGBIR图像传感器通常包括P型衬底，位于P型衬底上的外延层，所述外延层中包含若干N型区域，做为图像传感器的光电二极管区域。由于采用RGBIR彩色滤光膜阵列代替了Bayer模式的RGB彩色滤光膜阵列，该RGBIR彩色滤光膜阵列包括R、G、B、IR四种通道，其中，R通道允许红光和红外光通过，G通道允许绿光和红外光通过，B通道允许蓝光和红外光通过，IR通道仅允许红外光通过，因此R、G、B通道各自接收到的信号分别减去IR通道接收到的信号，即可得到红光、绿光、蓝光单独产生的信号，从而有效去除红外光影响而产生的噪声。然而由于红外光的波长较长，能够进入P型衬底并产生大量冗余电子，这些冗余电子容易转移至周围像素单元，造成光电二极管之间的串扰，并且导致光线亮度过高，成像色彩偏白。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种RGBIR图像传感器，减小光电二极管之间的串扰，提高成像色彩鲜艳度，改善图像质量。基于以上考虑，本专利技术提供一种RGBIR图像传感器，其包括：N型衬底；位于N型衬...
【技术保护点】
一种RGBIR图像传感器，其特征在于，其包括：N型衬底；位于N型衬底上的外延层；所述外延层中包含若干第一N型区域，做为图像传感器的光电二极管区域；RGBIR彩色滤光膜阵列；光通过RGBIR阵列于N型衬底中形成冗余电子，于N型衬底加正压，抽取冗余电子以防止转移至周围像素单元，减小光电二极管之间的串扰。
【技术特征摘要】
1.一种RGBIR图像传感器，其特征在于，其包括：N型衬底；位于N型衬底上的外延层；所述外延层中包含若干第一N型区域，做为图像传感器的光电二极管区域；RGBIR彩色滤光膜阵列；光通过RGBIR阵列于N型衬底中形成冗余电子，于N型衬底加正压，抽取冗余电子以防止转移至周围像素单元，减小光电二极管之间的串扰。2.根据权利要求1所述的RGBIR图像传感器，其特征在于，所述外延层为P型外延层。3.根据权利要求1所述的R...
【专利技术属性】
技术研发人员：李杰，赵立新，李文强，李强，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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