半导体封装件及其制造方法技术

实施方式的半导体封装件具备半导体芯片、导电部、接合引线、模制树脂部和分子接合层。所述分子接合层至少设在所述接合引线的表面与所述模制树脂部之间。所述分子接合层的至少一部分与含在所述接合引线中的金属化学键合。所述分子接合层的至少一部分与含在所述模制树脂部中的树脂化学键合。

Semiconductor package and its manufacturing method

Embodiments of the semiconductor package include a semiconductor chip, a conductive portion, a bonding lead, a molded resin portion and a molecular bonding layer. The molecular bonding layer is at least located between the surface of the bonding lead and the molded resin part. At least a portion of the molecular bonding layer is bonded to the metal contained in the bonding lead. At least a portion of the molecular bonding layer is chemically bonded to the resin contained in the molded resin portion.

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件及其制造方法本申请以美国临时专利申请第62/324702号(申请日：2016年4月19日)及美国临时专利申请第62/382041号(申请日：2016年8月31日)为基础申请主张优先权。本申请通过参照这些基础申请而包含基础申请的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及半导体封装件及其制造方法。
技术介绍
已知有具备引线接合和模制树脂部的半导体封装件。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供可提高接合引线与模制树脂部的密合性的半导体封装件及其制造方法。实施方式的半导体封装件具备半导体芯片、导电部、接合引线、模制树脂部和分子接合层。所述接合引线设在所述半导体芯片与所述导电部之间。所述模制树脂部被覆所述半导体芯片、所述导电部的至少一部分及所述接合引线。所述分子接合层至少设在所述接合引线表面与所述模制树脂部之间。所述分子接合层的至少一部分与含在所述接合引线中的金属化学键合。所述分子接合层的至少一部分与含在所述模制树脂部中的树脂化学键合。附图说明图1是表示第1实施方式的电子设备的一个例子的立体图。图2是表示第1实施方式的半导体封装件的剖视图。图3是放大地表示第1实施方式的半导体封装件的一部分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装件，其具备：半导体芯片，导电部，设在所述半导体芯片与所述导电部之间的接合引线，被覆所述半导体芯片、所述导电部的至少一部分、及所述接合引线的模制树脂部，至少设在所述接合引线的表面与所述模制树脂部之间的分子接合层；所述分子接合层的至少一部分与含在所述接合引线中的第1金属化学键合；所述分子接合层的至少一部分与含在所述模制树脂部中的树脂化学键合。

【技术特征摘要】
2016.04.19 US 62/324,702;2016.08.31 US 62/382,0411.一种半导体封装件，其具备：半导体芯片，导电部，设在所述半导体芯片与所述导电部之间的接合引线，被覆所述半导体芯片、所述导电部的至少一部分、及所述接合引线的模制树脂部，至少设在所述接合引线的表面与所述模制树脂部之间的分子接合层；所述分子接合层的至少一部分与含在所述接合引线中的第1金属化学键合；所述分子接合层的至少一部分与含在所述模制树脂部中的树脂化学键合。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述分子接合层含有与所述接合引线的所述第1金属和所述模制树脂部的所述树脂双方共价键合的分子接合体。3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述分子接合层具有：第1部分，其设在所述接合引线的表面与所述模制树脂部之间，与所述接合引线和所述模制树脂部双方化学键合；第2部分，其设在所述导电部的表面与所述模制树脂部之间，与所述导电部和所述模制树脂部双方化学键合。4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述导电部在该导电部的表面含有金属镀层；所述分子接合层的至少一部分与含在所述金属镀层中的第2金属和含在所述模制树脂部中的所述树脂双方化学键合。5.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中，所述导电部进一步具有由第3金属形成的导电部本体；所述金属镀层为设在所述导电部本体的表面上的阻挡层。6.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，所述第2金属的扩散系数小于所述第3金属。7.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，所述第2金属包含镍、镍合金、钛、钛合金、钨及钨合金中的至少1种。8.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中，所述导电部为至少一部分突出到所述模制树脂部的外部的引片框架。9.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述导电部为所述半导体封装件的...

【专利技术属性】
技术研发人员：八甫谷明彦，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本,JP