半导体开关结构制造技术

一种半导体开关结构的实施例，包含源极接触、漏极接触、栅极与鳍片。接触与栅极沿着第一方向延伸并且在垂直第一方向的第二方向上彼此间隔。栅极散布于接触之间。鳍片位于接触与栅极两者之下。鳍片沿第二方向延伸并且在第一方向上彼此间隔。接触柱延伸穿过接触之一，并且未碰触栅极或鳍片。栅极柱延伸穿过栅极之一，并且未碰触接触或鳍片。接触‑栅极柱与接触与栅极碰触，但未与鳍片碰触。

Semiconductor switch structure

An example of a semiconductor switch structure includes source contacts, drain contacts, gates and fins. The contact and the gate extend along the first direction and are spaced apart from each other in the second direction of the vertical first direction. The grid is scattered between contacts. The fins are in contact with the grid. Fins extend along second directions and are spaced apart from each other in the first direction. The contact column extends through one of the contacts and does not touch the gate or fin. The gate column extends through one of the gates and does not touch the contacts or fins. Contact gate column and contact with the gate touch, but not touch and fin.

【技术实现步骤摘要】
半导体开关结构
本专利技术实施例是关于半导体集成电路，更具体关于半导体开关结构。
技术介绍
电源闸(powergating)是低功耗应用的一种技术。通过电源闸，高速芯片可以保持高频率运作，但没有使用的区段会关闭以节省功耗。这样的技术可以通过使用半导体场效晶体管(fieldeffecttransistor,FET)开关达到，其中需要极小的导通电阻(Ron)与高的导通电流-断路电流比例。芯片的电阻电位降(IRdrop)希望尽可能的越小越好。当元件尺寸缩小，前段制程(front-end-of-line,FEOL)因为扩散而电阻上升、接触区域缩小。而且，后段制程(back-end-of-line,BEOL)因为缩小金属导体的宽度与通柱尺寸而电阻上升。
技术实现思路
本揭露的一态样是提供半导体开关结构，包含：一接触，接触包含源极接触与漏极接触，一栅极，其中接触与栅极沿着第一方向延伸并在垂直于第一方向的第二方向上彼此间隔，其中栅极散布于接触之间，一鳍片，其位于接触与栅极两者之下，沿第二方向延伸并且在第一方向彼此间隔，一接触柱，其沿伸穿过接触之一，且未与栅极或鳍片碰触，一栅极柱，其沿伸穿过栅极之一，且本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体开关结构，其特征在于，包含：一接触，该接触包含源极接触与漏极接触；一栅极，其中该接触与该栅极沿一第一方向延伸并在垂直于该第一方向的一第二方向上彼此间隔，其中该栅极散布于该接触之间；一鳍片，位于该接触与该栅极两者之下，沿该第二方向延伸并且在该第一方向彼此间隔；一接触柱，沿伸穿过该接触之一，且未与该栅极或该鳍片碰触；一栅极柱，沿伸穿过该栅极之一，且未与该接触或该鳍片碰触；以及一接触‑栅极柱，与该接触与该栅极两者碰触，但未与该鳍片碰触。

【技术特征摘要】
2016.04.13 US 62/321,793;2017.01.24 US 15/413,7291.一种半导体开关结构，其特征在于，包含：一接触，该接触包含源极接触与漏极接触；一栅极，其中该接触与该栅极沿一第一方向延伸并在...

【专利技术属性】
技术研发人员：萧锦涛，陈志良，杨超源，余和哲，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71