The invention relates to a coating system and coating method, coating system comprises a substrate, a substrate positioned below the first coating source, film thickness monitoring device and the second film thickness monitoring device, the first film thickness monitoring device is positioned between the substrate and the coating film thickness monitoring device source, second adjacent base plate. Two film thickness monitoring devices can work together to improve the stability and reliability of the equipment. The second film thickness monitoring device adjacent the substrate, deposition rate and film thickness of its acquisition value very close to the true value of the substrate, the correction factor of approximately 100%, has the advantages of small error correction, which can be used in the second film thickness monitoring device need to check and correct the first film thickness monitoring device; the correction method although it can not completely replace the traditional method of correction for thick film samples test, but can be calibrated using traditional methods greatly reduce the frequency, not only saves production samples and thickness measurement time, saving raw material expenditure.
【技术实现步骤摘要】
镀膜系统及镀膜方法
本专利技术涉及镀膜领域,尤其涉及一种镀膜系统及镀膜方法。
技术介绍
在真空镀膜设备中,石英晶体振荡监控法是工艺过程中监控薄膜厚度和材料蒸镀速率最常用的方法。石英晶体振荡监控法,主要是利用了石英晶体的压电效应和质量负荷效应,当晶振片表面沉积薄膜后,晶体的振动就会减弱,这种振动或频率的减少,是由薄膜的厚度和密度决定的,利用非常精密的电子设备,每秒钟多次测试振动的变化,从而实现对蒸镀速率和膜层厚度的实时监控。在OLED(有机发光二极管:OrganicLight-EmittingDiode)的有机镀膜设备中,石英晶振膜厚探头一般位于加热源的一侧,基板位于加热源的斜上方。由于两者几何位置的差异,晶振上测量得到的蒸发速率和膜厚值和基板上的实际值是有较大差异的,需要一个修正因子来进行修正,修正因子=基板膜层厚度/晶振片膜层厚度。理论上来说,针对同一种材料,只要加热源、晶振和基板三者的几何相对位置不变,这个修正因子应当是固定的。然而,在实际情况中,这个修正因子却是不断变化的,特别是在添加材料或更换晶振片前后,修正因子会发生显著的变化,导致膜厚发生偏差。正因如此,添加材料或更换晶振片后,都要蒸镀样品测试膜厚,校正该修正因子。此外,在镀膜工艺过程中,会遇到晶振有瑕疵、接触不良、信号受到外界干扰、蒸镀材料飞溅到晶振等问题,这些问题均会导致修正因子发生变化,最终导致厚膜偏差,影响工艺稳定性。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于,针对现有技术中膜厚监控装置的修正因子发生变化而导致膜厚偏差及工艺不稳定的缺陷,提供一种镀膜系统及镀膜方法。本专利技术解决其技术问 ...
【技术保护点】
一种镀膜系统,包括基板和位于所述基板下方的镀膜源,其特征在于,所述镀膜系统还包括第一膜厚监控装置和第二膜厚监控装置,所述第一膜厚监控装置位于所述基板与所述镀膜源之间,所述第二膜厚监控装置邻近所述基板。
【技术特征摘要】
1.一种镀膜系统,包括基板和位于所述基板下方的镀膜源,其特征在于,所述镀膜系统还包括第一膜厚监控装置和第二膜厚监控装置,所述第一膜厚监控装置位于所述基板与所述镀膜源之间,所述第二膜厚监控装置邻近所述基板。2.根据权利要求1所述的镀膜系统,其特征在于,所述第二膜厚监控装置并排设于所述基板一侧。3.根据权利要求1所述的镀膜系统,其特征在于,所述镀膜系统还包括设于所述第二膜厚监控装置下方的第一遮板,所述第一遮板开启时,镀膜源输出的镀膜材料的气流通过所述第一遮板并到达所述第二膜厚监控装置,所述第一遮板关闭时,阻挡所述气流到达所述第二膜厚监控装置。4.根据权利要求1所述的镀膜系统,其特征在于,所述第一膜厚监控装置位于所述基板下方的侧边。5.根据权利要求1所述的镀膜系统,其特征在于,所述第一膜厚监控装置和所述第二膜厚监控装置均位于所述基板的同一侧边。6.根据权利要求1所述的镀膜系统,其特征在于,所述第一膜厚监控装置和所述第二膜厚监控装置均包括石英晶片。7.根据权利要求1所述的镀膜系统,其特征在于,所述镀膜系统还包括位于所述基板与所述镀膜源之间的第二遮板,所述第二...
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