太阳能硅片的切割方法及三维结构太阳能硅片技术

本发明专利技术揭示了太阳能硅片的切割方法及三维结构太阳能硅片，太阳能硅片的切割方法，包括如下步骤：S1，驱动工件进行Z轴方向进给，使工件与切割线接触；S2，驱动工件同时进行Z轴方向进给和Y轴方往复向进给，切割出具有波浪形切割面的太阳能硅片。本发明专利技术设计精巧，在驱动工件向切割线方向进行轴向进给的同时，驱动工件沿水平方向往复运动，从而使切割线能够在工件表面切割形成波浪形状的三维结构，并且通过对切割线运行速度和两个方向进给参数的设置，提供了一种能够实现三维结构硅片切割的新方法，工序简单，容易实现。

Cutting method of solar silicon wafer and three dimensional structure solar silicon wafer

The invention discloses a cutting method of solar silicon wafer and solar wafer cutting method of three-dimensional structure, solar silicon wafer, which comprises the following steps: S1, Z axis drive workpiece feeding direction, the workpiece and the cutting line contact; at the same time S2, driving the workpiece Z axis and Y axis reciprocating feed to feed, cutting out with wave the cut surface of the solar silicon wafer shape. The present invention is ingenious in design, for the axial feed to the cutting line in the direction of drive workpiece and workpiece driven reciprocating motion along the horizontal direction, so that the cutting line can cut wave shape of the three-dimensional structure formed on the surface of the workpiece, and the cutting speed and feed line parameters in two directions, which provides a new method and can realize the three-dimensional structure of the silicon wafer cutting process is simple, easy to implement.

【技术实现步骤摘要】
太阳能硅片的切割方法及三维结构太阳能硅片
本专利技术涉及太阳能电池板领域，尤其是太阳能硅片的切割方法及三维结构太阳能硅片。
技术介绍
太阳能硅片是太阳能电池板的重要组成部分，其性能的好坏直接影响太阳能电池板的电池效率，其主要通过切片工艺实现，切片是硅单晶由晶棒变成硅片的一个重要步骤，硅单晶的切片工艺主要有两种：内圆切割和线切割。对于内圆切割，国内大多采用水作为切削冷却液，由于硅的硬度较高，在切割过程中会产生大量的摩削热，硅片表面会出现毛刺、崩缺、刀痕等不良现象，致使切速无法提高，耗时较长，工序生产效率低下，随着晶体直径的增大，这种限制尤为明显。切片过程中硅片因机械作用造成的刀痕、损伤、破损会导致产生包括机械应力和热应力在内的应力，进而产生滑移位错，当机械应力与热应力在高温处理过程中的作用超过晶体滑移临界应力时会产生硅片的破碎，而且重金属杂质在缺陷中更易扩散，因此必须减少刀痕。而太阳能硅片的线切割主要有砂浆线切割和金刚线切割，其中砂浆线切割的机理就是机器导轮在高速运转中带动钢线，从而由钢线将聚乙二醇和碳化硅微粉混合的砂浆送到切割区，在钢线的高速运转中与压在线网上的工件连续发生摩擦完成切本文档来自技高网...

【技术保护点】
太阳能硅片的切割方法，其特征在于：包括如下步骤：S1，驱动工件进行Z轴方向进给，使工件与切割线接触；S2，驱动工件同时进行Z轴方向进给和Y轴方向往复进给，切割出具有波浪形切割面的太阳能硅片。

【技术特征摘要】
1.太阳能硅片的切割方法，其特征在于：包括如下步骤：S1，驱动工件进行Z轴方向进给，使工件与切割线接触；S2，驱动工件同时进行Z轴方向进给和Y轴方向往复进给，切割出具有波浪形切割面的太阳能硅片。2.根据权利要求1所述的太阳能硅片的切割方法，其特征在于：切割过程中采用金刚线多线锯切割工艺，切割线的运动速度在20-25m/s之间。3.根据权利要求1所述的太阳能硅片的切割方法，其特征在于：金刚线的直径为0.05-0.1mm之间。4.根据权利要求1所述的太阳能硅片的切割方法，其特征在于：工件Z轴方向进给的速度在0-1mm/min之间。5.根据权利要求1所述的太阳能硅片的切割方法，其特征在于：在S1步骤中，当切割线与工件接触时，使工件继续进行0.5-2mm行程的Z轴方向进给后再执行S2步骤。6.根据权利要求1-5任一所述的太阳能硅片的切割方法，其特征在于：在S2步骤中，Y轴方向进给包括一组连续且重复的往复运动过程，在一个往复运动过程中，Y轴方向往复进给的行程相同，且Y轴方向进给平均速度满足如下公式：p/vZ=2d/vY其中，p为波长；d为波深；vZ为Z轴方向进给速度；vY为Y轴方向进给平均速度。7.根据权利要求6所述的太阳能硅片的切割方法，其特征在于：在S2步骤中，一个往复运动过程中至少包括依次进行的从0速度开始的加速阶段、减速至0速度的减速阶段、从0速度开始的反向加速阶段以及减速至0速度的反向减速阶段。8.根据权利要求7所述的太阳能硅片的切割方法，其特征在于：在加速阶段与减速阶段之间和...

【专利技术属性】
技术研发人员：万明，
申请(专利权)人：苏州赛万玉山智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32