一种研磨-化学机械抛光氮化镓晶圆片的方法技术

本发明专利技术提供一种研磨‑化学机械抛光氮化镓晶圆片的方法，所述方法至少包括对所述氮化镓晶圆片的镓面进行处理的步骤：首先将所述氮化镓晶圆片固定于研磨平台上，镓面面向研磨头；然后利用XRD测量方法确定所述氮化镓晶圆片的研磨基面，将具有一定目数的研磨头与所述研磨基面平行并压覆于所述镓面上，在研磨液作用下将所述镓面研磨至第一粗糙度；接着更换研磨头至更高目数，重复上一步骤直至将所述镓面研磨至第二粗糙度，所述第二粗糙度小于所述第一粗糙度；最后将所述氮化镓晶圆片固定于化学机械抛光平台上，将所述镓面抛光至符合工艺要求的表面粗糙度。通过本发明专利技术的方法为直接研磨方式，简化了工艺步骤，降低物料消耗，缩短工艺时间，降低破损率。

A method of polishing chemical mechanical polishing of Gan wafers

The invention provides a method for chemical mechanical polishing grinding Gan wafer, the method comprising at least on the surface of gallium nitride wafer processing steps: first, the Gan wafer is fixed on the grinding platform, gallium face grinding head; and then determine the gallium nitride wafer surface grinding the use of XRD measurement method, the grinding head will have a certain mesh with the grinding base in parallel and pressed on the surface of gallium, in polishing liquid under the action of the gallium surface grinding to the first roughness; then replace the grinding head to a higher number of repeat step until the surface of gallium grinding to second roughness, the roughness is second less than the first roughness; finally the gallium nitride wafer is fixed on the chemical mechanical polishing platform, the gallium surface polishing process requirements to meet the Surface roughness. The direct grinding method simplifies the process steps, reduces the material consumption, shortens the processing time and reduces the breakage rate.

【技术实现步骤摘要】
一种研磨-化学机械抛光氮化镓晶圆片的方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种研磨-化学机械抛光氮化镓晶圆片的方法。
技术介绍
目前，无论是消费电子产品、电动车(EV)或家用电器，工程师正面对更加严格的要求，必须提升电源转换效能、提高功率密度水准、延长电池使用时间以及加快开关速度。这一切皆意味着电子产业将会变得越来越依赖于新型的功率半导体，采用不再以硅(Si)为基础的制程技术。随着容量可能达到前所未有的性能基准，氮化镓(GaN)正成为一项新兴的制程技术，影响电力电子系统设计的未来发展。在任何电源系统设计中，某种程度的电源转换损耗是肯定的，但由于宽频间隙，GaN明显比硅表现出更低的损耗，这也意味着更好的电源转换效能。因为GaN晶圆片可比等效的硅晶圆片更小，使用此技术的元件可被置于尺寸更小的封装规格中。由于其高流动性，GaN在用于要求快速开关的电路中效能极高。而且，提高的开关速度也有助于节省空间，因为电源电路所含被动元件可以更少，配套的磁性元件中使用的线圈可以更小。此外，GaN提供的更高的电源转换效能意味着更少的散热量，缩小了需要分配给热管理的空间。由于GaN具有一些和硅有所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种研磨‑化学机械抛光氮化镓晶圆片的方法，其特征在于，所述方法至少包括对所述氮化镓晶圆片的镓面进行处理的步骤，包括：1)将所述氮化镓晶圆片固定于研磨平台上，所述镓面面向研磨头；2)利用XRD测量方法确定所述氮化镓晶圆片的研磨基面，将具有一定目数的研磨头与所述研磨基面平行并压覆于所述氮化镓晶圆片的镓面上，在研磨液作用下将所述镓面研磨至第一粗糙度；3)更换研磨头至更高目数，重复步骤2)直至将所述镓面研磨至第二粗糙度，所述第二粗糙度小于所述第一粗糙度；4)将所述氮化镓晶圆片固定于化学机械抛光平台上，将所述氮化镓晶圆片的镓面抛光至符合工艺要求的表面粗糙度。

【技术特征摘要】
1.一种研磨-化学机械抛光氮化镓晶圆片的方法，其特征在于，所述方法至少包括对所述氮化镓晶圆片的镓面进行处理的步骤，包括：1)将所述氮化镓晶圆片固定于研磨平台上，所述镓面面向研磨头；2)利用XRD测量方法确定所述氮化镓晶圆片的研磨基面，将具有一定目数的研磨头与所述研磨基面平行并压覆于所述氮化镓晶圆片的镓面上，在研磨液作用下将所述镓面研磨至第一粗糙度；3)更换研磨头至更高目数，重复步骤2)直至将所述镓面研磨至第二粗糙度，所述第二粗糙度小于所述第一粗糙度；4)将所述氮化镓晶圆片固定于化学机械抛光平台上，将所述氮化镓晶圆片的镓面抛光至符合工艺要求的表面粗糙度。2.根据权利要求1所述的研磨-化学机械抛光氮化镓晶圆片的方法，其特征在于：所述步骤1)包括：首先清洗所述氮化镓晶圆片，然后利用真空吸附的方式将所述氮化镓晶圆片固定于研磨平台上，所述镓面面向研磨头。3.根据权利要求1所述的研磨-化学机械抛光氮化镓晶圆片的方法，其特征在于：所述步骤2)中，利用XRD测量方法来确定所述氮化镓晶圆片的研磨基面，然后通过调整所述研磨平台使所述研磨头与所述研磨基面平行，并采用去离子水作为研磨液及冷却剂，在所述去离子水的作用下，所述研磨头以与所述研磨平台相反的方向高速旋转，从而将所述镓面研磨至第一粗糙度。4.根据权利要求1所述的研磨-化学机械抛光氮化镓晶圆片的方法，其特征在于：所述步骤2)中的第一粗糙度不超过10微米。5.根据权利要求1所述的研磨-化学机械抛光氮化镓晶圆片的方法，其特征在于：所述步骤2)中，所述研磨头目数不超过6000目，所述研磨头面积超过晶圆片面积至少25％，所述研磨头转速不低于800r/min，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢宇，
申请(专利权)人：镓特半导体科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31