半导体发光元件及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种半导体发光元件的制作方法及半导体发光元件。该制作方法包含：提供第一基板；提供半导体外延叠层；提供第一粘着层连接第一基板及半导体外延叠层；图案化半导体外延叠层为多个外延单元并使彼此自第一基板上分离；提供第二基板，具有一表面；转移上述多个第二外延单元至第二基板的表面上；切割第一基板以形成多个第一半导体发光元件以及切割第二基板以形成多个第二半导体发光元件。多个外延单元包含多个第一外延单元和多个第二外延单元。每一第一外延单元具有第一几何形状及第一面积，每一第二外延单元具有第二几何形状及第二面积。第一几何形状与第二几何形状不相同或第一面积与第二面积不相同。

Semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof

The invention discloses a method for manufacturing a semiconductor light emitting element and a semiconductor light emitting element. The production method: providing a first substrate; providing a semiconductor epitaxial layer; providing a first adhesive layer connected with the first substrate and epitaxial semiconductor layer; patterning semiconductor epitaxial lamination for multiple epitaxial units and make each other since the first substrate separation; providing a second substrate with a surface; surface transfer the second extension unit to the second substrate; cutting the first substrate to form a plurality of first semiconductor light emitting element and the second substrate is cut to form a plurality of semiconductor light emitting element second. A plurality of epitaxial units include a plurality of first epitaxial units and a plurality of second epitaxial units. Each of the first epitaxial units has a first geometric shape and a first area, each of the second epitaxial units having a second geometry shape and a two area. The first geometric shape is different from the second geometric shape or the first area is different from the second area.

【技术实现步骤摘要】
半导体发光元件及其制作方法本专利技术是中国专利技术专利申请(申请号：201380059691.6，申请日：2013年7月3日，专利技术名称：半导体发光元件及其制作方法)的分案申请。
本专利技术涉及一种半导体发光元件的制作方法，尤其涉及一种在单一基板上形成两种不同半导体外延叠层的半导体发光元件的制作方法。
技术介绍
随着科技日新月异，半导体发光元件在信息的传输以及能量的转换上有极大的贡献。以系统的运用为例，例如光纤通讯、光学储存及军事系统等，半导体发光元件皆能有所发挥。以能量的转换方式进行区分，半导体发光元件一般可分为三类：将电能转换为光的放射，如发光二极管及激光二极管；将光的信号转换为电的信号，如光检测器；将光的辐射能转换为电能，如太阳能电池。在半导体发光元件之中，成长基板扮演着非常重要的角色。形成半导体发光元件所必要的半导体外延结构皆成长于基板之上，并通过基板得到支持。因此，选择一个适合的成长基板，往往成为决定半导体发光元件中元件成长品质的重要因素。然而，有时一个好的元件成长基板并不一定是一个好的元件承载基板。以发光二极管为例，在已知的红光元件工艺中，为了提升元件的成长品质，会选择本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光元件的制作方法，包含：提供一第一基板具有一第一表面，该第一表面包含多个第一区域以及多个第二区域，其中该多个第二区域之间包含至少一该第一区域；提供多个外延单元粘着于该第一表面上，其中该多个外延单元包含多个第一外延单元以及多个第二外延单元，该多个第一外延单元位于该多个第一区域中，该多个第二外延单元位于该多个第二区域中；提供一第一粘着层在该第一表面与该多个外延单元之间；以及提供一图案化牺牲层位于该第一表面与该第一粘着层之间。

【技术特征摘要】
2012.11.12 CN 20121045104511.一种半导体发光元件的制作方法，包含：提供一第一基板具有一第一表面，该第一表面包含多个第一区域以及多个第二区域，其中该多个第二区域之间包含至少一该第一区域；提供多个外延单元粘着于该第一表面上，其中该多个外延单元包含多个第一外延单元以及多个第二外延单元，该多个第一外延单元位于该多个第一区域中，该多个第二外延单元位于该多个第二区域中；提供一第一粘着层在该第一表面与该多个外延单元之间；以及提供一图案化牺牲层位于该第一表面与该第一粘着层之间。2.如权利要求1所述的制作方法，其中该第一粘着层包含多个彼此分离的次粘着层。3.如权利要求2所述的制作方法，其中该多个次粘着层分别对应该多...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊宇，倪庆怀，陈怡名，徐子杰，邱新智，吕志强，林敬倍，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71