发光元件、背光源模组及电子设备制造技术

本实用新型专利技术涉及显示技术领域，具体涉及一种发光元件、背光源模组及电子设备。一种发光元件，呈长条形，所述发光元件包括发光单元，所述发光单元包括多个LED芯片、荧光层和基板；所述LED芯片设于所述基板上，多个所述LED芯片间隔设置，所述荧光层覆盖多个LED芯片以及LED芯片之间的间隔区域，发光元件的长宽比为(80‑140)：1。本实用新型专利技术所提供的发光元件为整面发光，从光源的根本问题出发，解决了传统光源存在“暗区”的问题，从而保证出光亮度的均一性。

【技术实现步骤摘要】
发光元件、背光源模组及电子设备
本技术涉及显示
，具体涉及一种发光元件、背光源模组及电子设备。
技术介绍
在显示模块中，背光源为显示模块提供光，由背光源发出的光线透过所述显示模块，从而使所述显示模块显像。背光源被广泛用在电子设备中，如手机、平板电脑、电脑、电视等产品。现有的背光源包括导光板、反射板及位于导光板一侧的发光元件，发光元件发出的光经导光板形成面光源，再经反射板将光反射，为显示模块提供光。其中，发光元件由多个独立封装的光源(LED芯片加荧光粉)组成，每个LED芯片呈角度发光，会在相邻LED芯片之间存在“暗区”，从而影响背光源出光区域亮度的均一性，进而使得电子设备的显示效果。为提供背光源出光区域亮度的均一性，导光板的改进成为研究重点。然而通过改进导光板的方式，达到的效果有限，仍然无法满足需求。
技术实现思路
为克服现有背光源出光区域亮度的均一性差的技术问题，本技术提供了一种发光元件、背光源模组及电子设备。本技术解决技术问题的方案是提供一种发光元件，呈长条形，所述发光元件包括发光单元，所述发光单元包括多个LED芯片、荧光层和基板；所述LED芯片设于所述基板上，多个所述LED芯片间隔设置，所述荧光层覆盖多个LED芯片以及LED芯片之间的间隔区域，发光元件的长宽比为(80-140)：1。优选地，所述荧光层的厚度比所述LED芯片的厚度大0.05-0.2mm。优选地，所述荧光层11的厚度D1为0.15-1mm，所述基板的厚度为0.1-1.2mm。优选地，所述发光元件包括一个发光单元，所述发光单元中多个所述LED芯片沿荧光层长度方向排布，所述LED芯片长度为0.8-1.6mm，位于两端的LED芯片与荧光层的端面之间的距离为0.5-2.5mm。优选地，多个所述LED芯片等间距设置，相邻两个LED芯片之间的距离为1.5-3.5mm。优选地，所述LED芯片包括电极面，所述电极面设有第一电极和第二电极，所述基板上设有多个相间的导电块；所述第一电极和第二电极与基板上的导电块相连，且第一电极和第二电极所连接的导电块不同。优选地，所述发光元件还包括柔性电路板，所述基板远离荧光层的一侧焊接在所述柔性电路板上。本技术还提供一种背光源模组，包括上述的发光元件。优选地，所述背光源模组还包括导光板，所述发光元件位于导光板一侧，所述发光元件的长度与该发光元件所在导光板一侧的长度之间的比例为1:(1-1.2)；所述发光元件与所述导光板相接触。本技术还提供一种电子设备，包括上述的发光元件。与现有技术相比，本技术所提供的发光元件为整面发光，从光源的根本问题出发，解决了传统光源存在“暗区”的问题，从而保证出光亮度的均一性；并且该发光元件出光均匀，亮度高，发光单元的光效和光通率均能得到大幅提升；具体的，该发光元件的光通量能达到90-100lm，光效提升了1/3-1/2。此外，由于该发光元件在其发光区域整体发光强度均一性好，也就是在边缘部分也无暗区，利用所述发光元件能得到窄边框甚至无边框的电子设备。本技术还提供一种背光源模组，包括上述的发光元件，该背光源模组亮度均匀且强度高。本技术还提供一种电子设备，包括上述的发光元件，显示效果好，且能有效降低所述电子设备中显示装置的边框宽度，甚至达到无边框的效果。【附图说明】图1是本技术发光元件的主视示意图。图2是图1中A处的放大示意图。图3是本技术发光元件与光接受体的结构示意图。图4是本技术发光元件的俯视示意图。图5是图1中B处的放大示意图。图6是图4中C-C剖视示意图。图7是图6中E处的放大示意图。图8是本技术优选实施例中发光元件的结构示意图。图9是本技术变形实施例中发光元件的结构示意图。图10是本技术发光元件的制备方法的流程图。图11是本技术发光元件的制备方法中步骤S2的流程图。图12是本技术背光源模组的结构示意图。【具体实施方式】为了使本技术的目的，技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施实例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。如图1所示，一种发光元件1，该发光元件1呈长条形。所述发光元件1包括发光单元10，所述发光单元10包括至少二LED芯片12、荧光层11和基板13。所述LED芯片12设于所述基板13上，所述荧光层11覆盖至少二LED芯片12及所述基板13设有LED芯片12的表面，也就是说所述荧光层11覆盖至少二LED芯片12及LED芯片之间的间隔区域，该基板13为所述荧光层11和LED芯片12提供基层载体。所述LED芯片12发出的光经所述荧光层11转换后整体发光。请一并参阅图2，所述荧光层11远离所述基板13的表面为所述发光元件1的主发光面101，可以理解，在其侧面形成侧发光面102。也就是发光元件1主发光面101所发出的光沿图中y轴方向射出。请一并参阅图3，所述发光元件1主发光面101的面积与光接受体4入光面401的面积之间的比例为(0.8-1):1。并且使用本技术的发光元件1，该比例最佳可以达到1:1。一般来说，当该发光元件1用在边侧式的背光源模组中时，所述发光元件1主发光面101与所述光接受体4入光面401相接触。在图3中是为清楚的展示发光元件1主发光面101和所述光接受体4入光面401，也就是在实际设置中，所述光接受体4沿箭头P所述方向移动，使得所述发光元件1主发光面101与所述光接受体4入光面401相接触。也就是所述发光元件1主发光面101与所述光接受体4入光面401相对应，因此前文所述的所述发光元件1主发光面101的面积与光接受体4入光面401的面积之间的比例为(0.8-1):1，可以理解为，当所述发光元件1主发光面101与所述光接受体4入光面401相对应时，所述发光元件1主发光面101的面积可以占到所述光接受体4入光面401的面积的80-100％。需要说明的是，在实际应用时，由于制造过程会产生误差，因此在10％的误差范围内，即所述发光元件1主发光面101的面积与光接受体4入光面401的面积之间的比例处于(0.72-1.1):1的范围内时，也应在本技术的保护范围内。与现有技术相比，即多个独立封装的光源，由于其之间有间隔，其发光面与光接受体4的入光面无法完全匹配，从而形成“暗区”。而本技术所提供的发光元件1为整面发光，从光源的根本问题出发，解决了传统光源存在“暗区”的问题，从而保证出光亮度的均一性；并且该发光元件1出光均匀，亮度高，发光元件1的光效和光通率均能得到大幅提升；具体的，该发光元件1的光通量能达到90-100lm，光效提升了1/3-1/2。此外，由于该发光元件1在其发光区域整体发光强度均一性好，也就是在边缘部分也无暗区，利用所述发光元件能得到窄边框甚至无边框的电子设备。由于本发光元件1呈长条形，即发出的为条形光源。而显示屏或电子设备等产品均需要为其提供面光源，因而所述发光元件1位于光接受体4一侧，发光元件1所发出的条形光源经光接受体4导光后以形成面光源。优选地，所述发光元件1的长度与该发光元件1所在光接受体4一侧的长度之间的比例为1:(1-1.2)。在该比例范围内，能保证得到发光强度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光元件，其特征在于：呈长条形，所述发光元件包括发光单元，所述发光单元包括多个LED芯片、荧光层和基板；所述LED芯片设于所述基板上，多个所述LED芯片间隔设置，所述荧光层覆盖多个LED芯片以及LED芯片之间的间隔区域，发光元件的长宽比为(80‑140)：1。

【技术特征摘要】
2016.09.30 CN 20161087866661.一种发光元件，其特征在于：呈长条形，所述发光元件包括发光单元，所述发光单元包括多个LED芯片、荧光层和基板；所述LED芯片设于所述基板上，多个所述LED芯片间隔设置，所述荧光层覆盖多个LED芯片以及LED芯片之间的间隔区域，发光元件的长宽比为(80-140)：1。2.如权利要求1所述发光元件，其特征在于：所述荧光层的厚度比所述LED芯片的厚度大0.05-0.2mm。3.如权利要求2所述发光元件，其特征在于：所述荧光层的厚度为0.15-1mm，所述基板的厚度为0.1-1.2mm。4.如权利要求1所述发光元件，其特征在于：所述发光元件包括一个发光单元，所述发光单元中多个所述LED芯片沿荧光层长度方向排布，所述LED芯片长度为0.8-1.6mm，位于两端的LED芯片与荧光层的端面之间的距离为0.5-2.5mm。5.如权利要求4所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王磊，
申请(专利权)人：深圳市玲涛光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44