一种大功率集成封装芯片排布结构制造技术

技术编号:16331130 阅读:26 留言:0更新日期:2017-10-01 22:36
本实用新型专利技术公开了一种大功率集成封装芯片排布结构,包括集成基板和若干组LED发光芯片组,LED发光芯片组由若干个LED发光芯片构成,LED发光芯片组设于集成基板上,相邻的LED发光芯片组交错布置。本实用新型专利技术采用采用LED发光芯片组交错式布置的结构,可增大单颗LED发光芯片底部发热点的散热面积,使热均匀快速有效的分布在集成基板,从而提高整体散热效果;且因LED发光芯片组交错式排布,其LED发光芯片侧边光发面不会因芯片密集排布而使侧边光无法完全导出,使LED发光芯片侧发光边的光得以充分利用,产品的亮度比常规结构的产品亮度提升1.2%。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

Arrangement structure of high power integrated packaging chip

The utility model discloses a high-power IC chip arrangement, including integrated substrate and a plurality of groups of light-emitting chip LED group, LED group is composed of a plurality of light-emitting chip LED light emitting chip, the LED chip is assembled on the integrated substrate, adjacent LED light-emitting chip group staggered. The utility model adopts the LED chip group structure of staggered arrangement, can increase the radiating area of single LED light emitting chip at the bottom of hot spots, the uniform heat distribution in the fast and effective integrated substrate, thereby improving the overall cooling effect; and because the LED chip group staggered layout, the LED light emitting chip side light Famian not because the chips densely arranged side light cannot be completely derived, and the LED light-emitting chip edge side emitting light can be fully utilized, the brightness of the product than the conventional structure of product brightness increased by 1.2%.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及大功率集成LED照明
,具体涉及一种大功率集成封装芯片排布结构
技术介绍
现有的大功率集成(功率在10W~100W)封装芯片排布结构(LightEmittingDiode,发光二极管),多采用十串几并电路设计,一般是把十串LED发光芯片呈直线式布置在集成基板固焊区中,串联芯片通过金线焊接后导通,或者是其他材料线与线连接后导通并在其灌胶区域内填充胶水密封。这些封装方案还存在如下缺点:1、因LED产品是由芯片发光,发热的,如LED发光芯片不是与固焊区基板直接接触,而是通过具有导热功能的底胶物质将其固定连接,因是通过二次导热,散热效果降低;2、芯片又是呈直线放置,排布太过密集,整体散热效果差,单颗芯片底部热量难散出使之于影响芯片寿命。3、LED发光芯片为五面发光体,密集排布会阻碍四侧出光利用率等缺点。
技术实现思路
本技术的目的在于公开了一种大功率集成封装芯片排布结构,解决了现有技术中大瓦数集成式LED封装结构存在的散热效果不好,出光效果差的问题。为达到上述目的,本技术采用如下技术方案:一种大功率集成封装芯片排布结构,包括集成基板和若干组LED发光芯片组,LED发光芯片组由若干个LED发光芯片构成,LED发光芯片组设于集成基板上,相邻的LED发光芯片组交错布置。进一步,所示LED发光芯片组由两个LED发光芯片构成。进一步,所述两个LED发光芯片沿着LED发光芯片组的布置方向X轴布置。进一步,所述相邻的LED发光芯片组之间在Y轴方向上的距离D1大于或等于所述LED发光芯片的宽,Y轴垂直于X轴。进一步,相邻的所述LED发光芯片在X轴上的间距D2大于或等于3mm。进一步,所述集成基板设有固焊区和位于固焊区上的发光区,所述LED发光芯片设于固焊区的底面且通过底胶固定,固焊区填充有荧光胶,发光区填充有外封胶。进一步,所述LED发光芯片直接接触所述固焊区的底面。进一步,所述LED发光芯片的电极通过导线彼此连接。与现有技术相比,本技术的有益效果:本技术采用LED发光芯片组交错式布置的结构,可增大单颗LED发光芯片底部发热点的散热面积,使热均匀快速有效的分布在集成基板,从而提高整体散热效果;且因LED发光芯片组交错式排布,其LED发光芯片侧边光发面不会因芯片密集排布而使侧边光无法完全导出,使LED发光芯片侧发光边的光得以充分利用,产品的亮度比常规结构的产品亮度提升1.2%。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本技术大功率集成封装芯片排布结构的正视示意图;图2是图1的立体示意图;图3是图1的剖面结构示意图;图中,1-集成基板;11-固焊区;12-发光区;2-LED发光芯片组;21-LED发光芯片;3-底胶;4-荧光胶;5-外封胶;6-导线。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。如图1至图3所示实施例一种大功率集成封装芯片排布结构,包括集成基板1和若干组LED发光芯片组2,LED发光芯片组2由若干个LED发光芯片21构成,LED发光芯片组2设于集成基板1上,相邻的LED发光芯片组2交错布置。LED发光芯片组2交错式的规律布置,可增大单颗LED发光芯片21底部发热点的散热面积,使热均匀快速有效的分布在集成基板1,从而提高整体散热效果;且因LED发光芯片组2交错式排布,其LED发光芯片21侧边光发面不会因芯片密集排布而使侧边光无法完全导出,使LED发光芯片21侧发光边的光得以充分利用。本实施例中的LED发光芯片组2由两个LED发光芯片21构成。两个LED发光芯片21沿着LED发光芯片组2的布置方向X轴布置。相邻的LED发光芯片组2之间在Y轴方向上的距离D1大于或等于LED发光芯片21的宽,Y轴垂直于X轴。相邻的LED发光芯片21在X轴上的间距D2大于或等于3mm。集成基板1设有固焊区11和位于固焊区11上的发光区12,LED发光芯片21设于固焊区11的底面,且LED发光芯片21通过具有高导热功能的底胶3固定,固焊区11填充有荧光胶4,发光区12填充有外封胶5。LED发光芯片21直接接触固焊区11的底面。LED发光芯片21的电极通过导线6彼此连接。本实施例一种大功率集成封装芯片排布结构的其它结构参见现有技术。作为对本实施例的进一步说明,现说明实现其结构的方法:S1、将LED发光芯片组2两两交错式分布在固焊区11;S2、固定LED发光芯片21:将LED发光芯片21固定在固焊区11的底面,并对LED发光芯片21固定的底胶3.进行烘烤固化;S3、连接导线6:通过导线6连接固定的LED发光芯片21的电极,并集成基板1;S4、填充荧光胶4:荧光粉与外封胶水混合后将固焊区11填充满并烘烤;S5、填充外封胶5:在荧光胶上层用胶水进行灌封整个发光区12并烘烤。本技术并不局限于上述实施方式,如果对本技术的各种改动或变型不脱离本技术的精神和范围,倘若这些改动和变型属于本技术的权利要求和等同技术范围之内,则本技术也意图包含这些改动和变型。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大功率集成封装芯片排布结构,其特征是:包括集成基板和若干组LED发光芯片组,LED发光芯片组由若干个LED发光芯片构成,LED发光芯片组设于集成基板上,相邻的LED发光芯片组交错布置。

【技术特征摘要】
1.一种大功率集成封装芯片排布结构,其特征是:包括集成基板和若干组
LED发光芯片组,LED发光芯片组由若干个LED发光芯片构成,LED发光芯
片组设于集成基板上,相邻的LED发光芯片组交错布置。
2.根据权利要求1所述一种大功率集成封装芯片排布结构,其特征是:所
示LED发光芯片组由两个LED发光芯片构成。
3.根据权利要求2所述一种大功率集成封装芯片排布结构,其特征是:所
述两个LED发光芯片沿着LED发光芯片组的布置方向X轴布置。
4.根据权利要求3所述一种大功率集成封装芯片排布结构,其特征是:所
述相邻的LED发光芯片组之间在Y轴方向上的距离D1大于或等于所述LED发
光芯片的宽...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴丹伍贤勇周明昌陶浪黎弘杰
申请(专利权)人:广东融捷光电科技有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1