一种大功率GaN基LED芯片的结构制造技术

本实用新型专利技术提出了一种大功率GaN基LED芯片的结构，包括衬底、在所述的衬底上依次设置的N型电极、电流层、P型电极，所述的P型电极倾斜置于电流层中。实施本实用新型专利技术的技术方案的一种大功率GaN基LED芯片的结构，工艺结构简单，制造成本较低，提高了LED芯片发光效率，也延长了LED芯片的使用寿命。

Structure of a high power GaN based LED chip

The utility model provides a structure of high-power GaN based LED chip, including a substrate, wherein the substrate provided N type electrode, current layer, P type P type electrode, the electrode layer in current tilt. The structure of the high-power GaN based LED chip with the technical proposal of the utility model has the advantages of simple process structure, low manufacturing cost, improving the luminous efficiency of the LED chip, and prolonging the service life of the LED chip.

【技术实现步骤摘要】
一种大功率GaN基LED芯片的结构
本技术涉及LED芯片
，特别涉及一种大功率GaN基LED芯片的结构。
技术介绍
发光二极管(即LED)是一种能够将电能转化成光能的一种半导体器件，是新一代光源。LED具有体积小、耗电量低、使用寿命长、发光效率高、发热量低、环保节能、坚固耐用等诸多优点，应用领域十分广阔。目前，LED已在背光源、交通灯、在屏幕显示、汽车、装饰照明等领域得到了广泛的应用，并随着技术的不断的发展与成熟，LED将有望成为第四代照明光源。而氮化镓(GaN)及其化合物是继锗(Ge)、硅(Si)和砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)之后重要的第三代半导体材料，基于GaN基的LED的发展目前被公认为是光电子科学
的重大成就，是发展固态照明、实现人类照明革命性的光源，具有十分广阔的应用前景。目前,GaN基LED芯片是电光转换效率还需要进一步提高，如何系统地设计一个性能良好的大功率LED芯片是一个很有价值的研究课题。
技术实现思路
为了解决以上的问题，本技术提供一种大功率GaN基LED芯片的结构。本技术公开了一种大功率GaN基LED芯片的结构，包括衬底，在衬底上依次设置的N型电极、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大功率GaN基LED芯片的结构，包括衬底、在所述的衬底上依次设置的N型电极、电流层、P型电极，其特征在于，所述的P型电极倾斜置于电流层中。

【技术特征摘要】
1.一种大功率GaN基LED芯片的结构，包括衬底、在所述的衬底上依次设置的N型电极、电流层、P型电极，其特征在于，所述的P型电极倾斜置于电流层中。2.根据权利要求1所述的结构，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：张萌，
申请(专利权)人：深圳市绿联特科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44