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本实用新型提出了一种大功率GaN基LED芯片的结构，包括衬底、在所述的衬底上依次设置的N型电极、电流层、P型电极，所述的P型电极倾斜置于电流层中。实施本实用新型的技术方案的一种大功率GaN基LED芯片的结构，工艺结构简单，制造成本较低，提高...
该专利属于深圳市绿联特科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市绿联特科技有限公司授权不得商用。

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