The utility model provides a fan out type wafer level package structure, the packaging structure includes at least a rewiring layer; bonding to the re wiring layer on at least one surface with a convex block protection flip chip structure and formed on the re wiring layer surface of at least two of the first convex block; formed on the upper surface of the wiring layer to fill the convex block protection flip chip structure and the re wiring layer connection between the gap and the package has bump flip chip protection structure and the first convex block part of the plastic layer and formed on the back; the second wiring layer under the convex block surface. The utility model of the plastic layer between the flip chip and re wiring layer provides seamless bonding and good bonding structure, to avoid the risk of delamination, improve the reliability of package structure; at the same time with bump flip chip protection structure, effective protection and fixed interconnect bumps, prevent bump interconnection failure.
【技术实现步骤摘要】
一种扇出型晶圆级封装结构
本技术涉及半导体封装
,特别是涉及一种扇出型晶圆级封装结构。
技术介绍
更低成本、更可靠、更快及更高密度的电路是集成电路封装追求的目标。在未来,集成电路封装将通过不断减小最小特征尺寸来提高各种电子元器件的集成密度。目前,先进的封装方法包括:晶圆片级芯片规模封装(WaferLevelChipScalePackaging,WLCSP),扇出型晶圆级封装(Fan-OutWaferLevelPackage,FOWLP),倒装芯片(FlipChip),叠层封装(PackageonPackage,POP)等等。扇出型晶圆级封装是一种晶圆级加工的嵌入式芯片封装方法,是目前一种输入/输出端口(I/O)较多、集成灵活性较好的先进封装方法之一。扇出型晶圆级封装相较于常规的晶圆级封装具有其独特的优点:①I/O间距灵活,不依赖于芯片尺寸;②只使用有效裸片(die),产品良率提高;③具有灵活的3D封装路径,即可以在顶部形成任意阵列的图形;④具有较好的电性能及热性能;⑤高频应用;⑥容易在重新布线层(RDL)中实现高密度布线。目前,扇出型晶圆级封装方法一般为:提供载体,在载体表面形成粘合层;第一介电层在粘合层上光刻、电镀出重新布线层(RedistributionLayers,RDL);采用芯片键合/倒装芯片工艺将半导体芯片安装在重新布线层上;进行整体烘干;进行毛细管底部填充(CUF);再次进行整体烘干;采用注塑工艺将半导体芯片塑封于塑封材料层中;塑封研磨、开通孔;填充通孔;光刻、电镀出球下金属化层;进行植球回流,形成焊球阵列;移除载体。其中,倒装芯片和重 ...
【技术保护点】
一种扇出型晶圆级封装结构,其特征在于,所述扇出型晶圆级封装结构至少包括:重新布线层;键合于所述重新布线层上表面的至少一个具有凸块保护结构的倒装芯片及形成于所述重新布线层上表面的至少两个第一凸块,所述具有凸块保护结构的倒装芯片和所述第一凸块均与所述重新布线层实现电性连接,且所述第一凸块的顶部高于所述具有凸块保护结构的倒装芯片的顶部;形成于所述重新布线层上表面的填充满所述具有凸块保护结构的倒装芯片和所述重新布线层之间的连接缝隙并包裹所述具有凸块保护结构的倒装芯片及所述第一凸块的一部分的塑封层;以及形成于所述重新布线层下表面的第二凸块。
【技术特征摘要】
1.一种扇出型晶圆级封装结构,其特征在于,所述扇出型晶圆级封装结构至少包括:重新布线层;键合于所述重新布线层上表面的至少一个具有凸块保护结构的倒装芯片及形成于所述重新布线层上表面的至少两个第一凸块,所述具有凸块保护结构的倒装芯片和所述第一凸块均与所述重新布线层实现电性连接,且所述第一凸块的顶部高于所述具有凸块保护结构的倒装芯片的顶部;形成于所述重新布线层上表面的填充满所述具有凸块保护结构的倒装芯片和所述重新布线层之间的连接缝隙并包裹所述具有凸块保护结构的倒装芯片及所述第一凸块的一部分的塑封层;以及形成于所述重新布线层下表面的第二凸块。2.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装结构,其特征在于,所述重新布线层至少包括:多个第一焊盘;覆盖于所述第一焊盘上表面和侧壁的第一介电层;形成于所述第一介电层内的能够与所述第一焊盘实现电性连接的金属布线层,其中,所述金属布线层为单层金属层或多层金属层;形成于所述第一介电层上表面的能够与所述金属布线层实现电性连接的多个下金属化层,最终得到所述重新布线层;其中,所述具有凸块保护结构的倒装芯片键合于所述下金属化层的上表面,且通过所述下金属化层实现与所述重新布线层的电性连接。3.根据权利要求2所述的扇出型晶圆级封装结构,其特征在于,所述具有凸块保护结构的倒装芯片至少包括:裸芯片;形成于所述裸芯片上表面的连接层;以及形成于所述连接层上的互联凸块,且所述互联凸块通过所述连接层实现与所述裸芯...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴政达,林正忠,
申请(专利权)人:中芯长电半导体江阴有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏,32
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