一种双面扇出型晶圆级封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种双面扇出型晶圆级封装结构，其至少包括：至少两个第一焊盘；覆盖于所述第一焊盘上表面和侧壁的重新布线层；附着于所述重新布线层上表面的第一裸片和第二裸片；形成于所述重新布线层上表面的电极凸块和包裹所述第一裸片、所述第二裸片及所述电极凸块的一部分的第一塑封层；附着于所述第一焊盘下表面的第三裸片；形成于所述重新布线层下表面的包裹所述第三裸片的第二塑封层；形成于所述第一塑封层上表面的具有开口的钝化层，所述开口暴露所述电极凸块的顶面；以及形成于所述开口中的覆盖所述电极凸块顶面的下金属化层和焊料球。本实用新型专利技术相对于现有技术，可以应用于不断增加厚度的塑封层中，对封装裸片的厚度无需进行限制。

Double sided fan out type wafer level package structure

The utility model provides a double-sided fan out type wafer level package structure, which at least comprises at least two first pads; covers the first pad on the surface and the side wall of the re wiring layer; attached to the re wiring layer surface first die and the second die in the form; the re wiring layer on the surface of electrode bumps and package of the first die and the second die and the electrode lug part of the first plastic seal; third die attached to the first pad surface; formed on the lower surface of the wiring layer to package the third die second plastic seal; formed on the first surface of the plastic layer on the passivation layer having openings, the opening exposing the top surface of the bump electrode; and forming in the opening of the cover of the metal layer and the top surface of the lower electrode lug Solder ball. Compared with the prior art, the utility model can be applied to the plastic layer with increasing thickness, and the thickness of the packaged naked film can not be limited.

【技术实现步骤摘要】
一种双面扇出型晶圆级封装结构
本技术涉及半导体封装
，特别是涉及一种双面扇出型晶圆级封装结构。
技术介绍
扇出型晶圆级封装(Fan-outwaferlevelpackage，FOWLP)是一种晶圆级加工的嵌入式芯片封装方法，是目前一种输入/输出端口(I/O)较多、集成灵活性较好的先进封装方法之一。扇出型晶圆级封装相较于常规的晶圆级封装具有其独特的优点：①I/O间距灵活，不依赖于芯片尺寸；②只使用有效裸片(die)，产品良率提高；③具有灵活的3D封装路径，即可以在顶部形成任意阵列的图形；④具有较好的电性能及热性能；⑤高频应用；⑥容易在重新布线层(RDL)中实现高密度布线。双面扇出型晶圆级封装技术能够将多个裸片同时封装于同一个基底的两个表面上，可以大大提高器件的集成度，降低成本。目前，扇出型晶圆级封装工艺在3D封装领域面临着巨大的挑战，主要在于形成通孔的塑封层厚度越来越厚(大于500μm)。现有的扇出型晶圆级封装方法一般为：提供载体，在载体表面形成粘合层；将半导体芯片正面朝上贴装于粘合层表面；涂布介电层；光刻、电镀出重新布线层(RedistributionLayers，RDL)；采本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双面扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，所述双面扇出型晶圆级封装结构至少包括：至少两个第一焊盘；覆盖于所述第一焊盘上表面和侧壁的重新布线层；附着于所述重新布线层上表面的第一裸片和第二裸片，且所述第一裸片和所述第二裸片分别与所述重新布线层实现电性连接；形成于所述重新布线层上表面的电极凸块和包裹所述第一裸片、所述第二裸片及所述电极凸块的一部分的第一塑封层；附着于所述第一焊盘下表面的第三裸片，且所述第三裸片通过所述第一焊盘实现与所述重新布线层的电性连接；形成于所述重新布线层下表面的包裹所述第三裸片的第二塑封层；形成于所述第一塑封层上表面的具有开口的钝化层，所述开口暴露所述电极凸块的顶面；以及形成于...

【技术特征摘要】
1.一种双面扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，所述双面扇出型晶圆级封装结构至少包括：至少两个第一焊盘；覆盖于所述第一焊盘上表面和侧壁的重新布线层；附着于所述重新布线层上表面的第一裸片和第二裸片，且所述第一裸片和所述第二裸片分别与所述重新布线层实现电性连接；形成于所述重新布线层上表面的电极凸块和包裹所述第一裸片、所述第二裸片及所述电极凸块的一部分的第一塑封层；附着于所述第一焊盘下表面的第三裸片，且所述第三裸片通过所述第一焊盘实现与所述重新布线层的电性连接；形成于所述重新布线层下表面的包裹所述第三裸片的第二塑封层；形成于所述第一塑封层上表面的具有开口的钝化层，所述开口暴露所述电极凸块的顶面；以及形成于所述开口中的覆盖所述电极凸块顶面的下金属化层和焊料球，其中，所述焊料球的一部分凸出在所述钝化层外。2.根据权利要求1所述的双面扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，所述重新布线层至少包括：覆盖于所述第一焊盘上表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：仇月东，林正忠，何志宏，
申请(专利权)人：中芯长电半导体江阴有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32