一种多晶气冷硅铸锭炉制造技术

本发明专利技术公开了一种多晶气冷硅铸锭炉，包括炉体、设置在所述炉体底部的DS台和设置在所述炉体与所述DS台之间的石墨底板，还包括设置在所述石墨底板与所述DS台之间的均衡导热板，所述均衡导热板设置有多个通孔，所述均衡导热板的通孔的面积从所述DS台的进气口端到出气口端递减。所述多晶气冷硅铸锭炉，通过在炉体底部的石墨底板与DS台之间设置具有通孔的均衡导热板，通孔位置处DS台与石墨底板之间没有直接接触，减少了热传导，而均衡导热板的通孔的面积从所述DS台的进气口端到出气口端递减，使得在冷段位置在化料与长晶阶段吸收的热量减少，均衡了DS台进气口端到出气口端的热量传递，使得两端温度分布均匀，有利于化料界面与长晶界面的平整度的调整。

Polycrystal air cooling silicon ingot furnace

The invention discloses a polycrystalline silicon ingot furnace gas cooling, which comprises a furnace body, set the DS table at the bottom of the furnace body and is arranged between the furnace body and the DS graphite plate, also includes a balanced heat conducting plate is arranged between the bottom plate and the graphite DS Taiwan. The balance of heat conducting plate is provided with a plurality of through holes, the through holes of the heat conduction plate area equalization from the DS station inlet end to an air outlet end. The polycrystalline silicon ingot furnace gas cooled, with thermal equilibrium plate through hole is arranged between the bottom plate at the bottom of the furnace body of graphite and DS, there is no direct contact between the hole positions of DS and graphite plate, reduces heat conduction, through hole and balanced conducting plate area from the DS station the air inlet end to the outlet end of the decline, in the cold period of absorption in the material position and crystal growth stage to reduce the heat, the balance of DS an air inlet end to an air outlet end of the heat transfer, so that both ends of the uniform temperature distribution in favor of material interface and crystal growth interface roughness adjustment.

【技术实现步骤摘要】
一种多晶气冷硅铸锭炉
本专利技术涉及多晶铸锭
，特别是涉及一种多晶气冷硅铸锭炉。
技术介绍
随着能源危机、环境污染以及全球温度的不断攀升，人类迫切需要改变这一格局，而光伏发电具有使用范围广、对环境无污染、不会排放温室气体的优点，是应对以及减缓这一变化的有力武器。影响光伏发电的因素有光伏电池的制造成本以及光伏电池的发电效率和使用寿命。采用多晶铸锭炉制造高质量的硅片是高效光伏电池的有力保证。多晶硅锭炉有很多种，其中气冷炉是目前多晶铸锭炉中常规的炉型之一。气冷炉的底部导热DS台内部设置气体流动通道，通过气体带走热量实现导热的目的，气体通过DS台通过吸收热量被加热，因此气冷炉DS台气体入口端属于冷端，气体出口端属于热端。常规结构的气冷炉采用的是底部DS台设计为内部有气体流通的散热结构，气体通过DS台内部带走硅锭上部传递下来的热量，形成纵向散热，符合定向凝固生长的概念。由于气冷炉进气口与出气口分布在DS台的两边，于是就会引起DS台底部温度分布不均衡，对硅锭铸造的长晶与化料过程均产生一定的影响。对长晶过程，DS台两端不均等的温度分布引起硅锭两端长晶速率的不同，进气端长晶速率较快，出气端长晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶气冷硅铸锭炉，包括炉体、设置在所述炉体底部的DS台和设置在所述炉体与所述DS台之间的石墨底板，其特征在于，还包括设置在所述石墨底板与所述DS台之间的均衡导热板，所述均衡导热板设置有多个通孔，所述均衡导热板的通孔的面积从所述DS台的进气口端到出气口端递减。

【技术特征摘要】
1.一种多晶气冷硅铸锭炉，包括炉体、设置在所述炉体底部的DS台和设置在所述炉体与所述DS台之间的石墨底板，其特征在于，还包括设置在所述石墨底板与所述DS台之间的均衡导热板，所述均衡导热板设置有多个通孔，所述均衡导热板的通孔的面积从所述DS台的进气口端到出气口端递减。2.如权利要求1所述多晶气冷硅铸锭炉，其特征在于，所述均衡导热板与所述DS台的上表面的形状和尺寸相同。3.如权利要求2所述多晶气冷硅铸锭炉，其特征在于，所述通孔包括圆孔、椭圆孔和方孔中的至少一种。4.如权利要求3所述多晶气冷硅铸锭炉，其特征在于，与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王全志，杨西西，赖依烽，晏文勇，邓清香，叶行方，罗丁，李林东，肖贵云，陈志军，陈伟，汪沛渊，欧子杨，金浩，
申请(专利权)人：晶科能源有限公司，浙江晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：江西,36