The invention discloses a polycrystalline ingot semi melting high-efficiency crucible process, comprising the following steps: Crucible preparation - spraying - charging - melting; measuring seed crystal height - long crystal - cooling. The invention adopts high purity high crucible crucible, increasing diameter, diameter of crucible increased from 1000mm to 1020mm, reduce the side stick red zone; bedding material with 1 5mm crushed polycrystalline as seed crystal growth by optimizing the guide, and later growth early melting process, ensure seed reserve.
【技术实现步骤摘要】
一种多晶铸锭半熔高效坩埚工艺
本专利技术属于多晶硅铸锭
,具体涉及一种多晶铸锭半熔高效坩埚工艺。
技术介绍
目前,多晶硅铸锭方法主要有半熔铸锭法和全熔铸锭法两种。其中,半熔铸锭法(也称为有籽晶铸锭多晶硅法、有籽晶高效多晶硅技术、半熔高效法等),是指采用毫米级硅料作为形核中心进行外延生长,铸造低缺陷高品质的多晶硅铸锭;全熔铸锭法(也称为无籽晶铸锭多晶硅法、无籽晶高效多晶硅技术、全熔高效法等),是指采用非硅材料在坩埚底部制备表面粗糙的异质形核层,通过控制形核层的粗糙度与形核时过冷度来获得较大形核率,铸造低缺陷高品质多晶硅铸锭。有籽晶高效多晶硅技术是硅材料的外延生长,而无籽晶高效多晶硅技术是一种异质形核;虽然两者都可以获得高品质的小晶粒高效多晶硅铸锭,但是由于形核机理不同,两种技术生长的晶体硅存在一定的差异。
技术实现思路
专利技术目的:为了解决现有技术的不足,本专利技术提供了一种多晶铸锭半熔高效坩埚工艺,减少晶锭侧部和底部红区,使边棒硅片效率提升1%以上,硅片效率由18.2%提升至18.5%以上,从而实现多晶硅锭切割成硅片后的转化效率提升。技术方案:一种多晶铸锭半熔高效坩埚工艺,包括如下步骤:坩埚制备——喷涂——装料——熔化测籽晶高度——长晶——冷却;其中:所述坩埚制备中:坩埚的高效层采用纯度>99.995%、Fe<0.2ppm进口石英砂,能够隔绝坩埚本身金属杂质扩散到硅料中;所述喷涂中:采用半雾化半湿的工艺,底部喷涂4遍,保护底部籽晶涂层;所述装料中:选用直径为5mm以下的碎多晶作为铺底籽晶料,籽晶料高度控制20mm,起引导长晶作用;所述熔化测籽晶高度中: ...
【技术保护点】
一种多晶铸锭半熔高效坩埚工艺,其特征在于:包括如下步骤:坩埚制备——喷涂——装料——熔化测籽晶高度——长晶——冷却;其中:所述坩埚制备中:坩埚的高效层采用纯度>99.995%、Fe<0.2ppm进口石英砂,能够隔绝坩埚本身金属杂质扩散到硅料中;所述喷涂中:采用半雾化半湿的工艺,底部喷涂4遍,保护底部籽晶涂层;所述装料中:选用直径为5mm以下的碎多晶作为铺底籽晶料,籽晶料高度控制20mm,起引导长晶作用;所述熔化测籽晶高度中:采用双功率控制模块,调整熔化后期顶部和侧部功率比为70%:30%,放慢熔化速度,保证籽晶预留和平整性,通过测长晶棒计算出实际籽晶剩余高度15mm时手动跳装至长晶阶段;所述长晶中:通过预留的籽晶的引导均匀成核,前期长晶速度控制在1.0cm/H,减少晶格中的缺陷,中后期速度控制在1.3cm/h,降低程序耗时。
【技术特征摘要】
1.一种多晶铸锭半熔高效坩埚工艺,其特征在于:包括如下步骤:坩埚制备——喷涂——装料——熔化测籽晶高度——长晶——冷却;其中:所述坩埚制备中:坩埚的高效层采用纯度>99.995%、Fe<0.2ppm进口石英砂,能够隔绝坩埚本身金属杂质扩散到硅料中;所述喷涂中:采用半雾化半湿的工艺,底部喷涂4遍,保护底部籽晶涂层;所述装料中:选用直径为5mm以下的碎多晶作为铺底籽晶料,籽晶料高度控制20mm,起引导长晶作用;所述熔化测籽晶高度...
【专利技术属性】
技术研发人员:章勇,
申请(专利权)人:南通综艺新材料有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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