一种静电场辅助多晶硅铸锭的方法技术

本发明专利技术公开了一种静电场辅助多晶硅铸锭的方法。其步骤如下：(1)将两片电极板置于多晶铸锭坩埚上下两侧，并保持平行；(2)电极板外接高压电源，给电极板输出稳定电压；(3)保持电场强度稳定在1V/cm‑100000V/cm范围中某一具体值，进行多晶硅铸锭工艺；(4)铸锭结束，极板断电，即得到性能优异的多晶硅铸锭。本发明专利技术可使多晶硅晶粒变大、取向性增强，并且可以将多晶硅中多种带电杂质高效的去除，大幅提高多晶硅质量，操作简单，稳定性好，能够进行批量生产。图1为实施例1、2中电场施加示意图；其中1导线，2石墨电极，3铸锭坩埚，4高压电源。

Method for assisting polycrystalline silicon ingot by electrostatic field

The invention discloses a method for electrostatic field assisted polycrystalline silicon ingot casting. The steps are as follows: (1) the two electrode plates in the polycrystalline ingot Crucible on both sides, and parallel plate electrode; (2) external high voltage power supply, stable output voltage to the electrode plate; (3) to maintain stability in the electric field strength in the range of 100000V/cm 1V/cm a specific value of polysilicon ingot casting process; (4) the end plate off, ingot, polycrystalline silicon ingot is obtained excellent performance. The invention can make the polysilicon grain size and orientation can be enhanced, and efficient removal of various charged impurities in polysilicon, a substantial increase in polysilicon quality, simple operation, good stability, can carry out mass production. Fig. 1 is a schematic diagram of an electric field applied in embodiments 1 and 2 wherein 1 wires, 2 graphite electrodes, 3 ingot crucibles, and 4 high-voltage power supplies are applied.

【技术实现步骤摘要】
一种静电场辅助多晶硅铸锭的方法
本专利技术属于晶体硅生产领域，涉及一种生产多晶硅的方法，尤其涉及一种静电场辅助生产多晶硅的方法。
技术介绍
近些年来，以太阳能为首的新能源产业发展异常迅速，太阳能电池领域的主要原材料是硅材料，占总原材料的90%，而在硅材料中，多晶硅材料占绝大部分，所以多晶硅片的质量直接影响了太阳能电池产业产品质量的提升和成本的降低。目前，多晶硅生产中存在关键的问题是晶体结晶质量差，晶花尺寸和取向难以控制，晶体中的杂质离子难以去除，这些杂质离子严重影响了多晶硅的性能参数，阻碍了太阳能电池效率的提高以及成本的下降。多晶硅生产中大多采用准单晶技术、半熔跳步技术、定向凝固技术等，力求提高硅片质量、去除其中的杂质离子，但是并没有得到良好的效果。本专利技术将静电场对非对称晶体结构半导体的牵引作用和对带电离子的牵引作用引入到传统的多晶硅铸锭工艺中，可以大大提高多晶硅晶粒尺寸、增强晶粒取向性，并且可以将多晶硅中多种带电杂质高效的去除，大幅提高多晶硅质量。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种生产高质量硅片的方法，此方法工艺简单、成本低、设备改造费用低。为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是一种静电场辅助多晶硅铸锭的方法，制备方法如下：(1)将两片电极板置于多晶铸锭坩埚上下两侧，并保持平行；(2)电极板外接高压电源，电极板输出稳定电压，输出电压的范围在1V~10000V可调；(3)保持电场强度稳定在1V/cm-100000V/cm范围中某一具体值，进行多晶硅铸锭工艺；(4)铸锭结束，极板断电，即得到性能优异的多晶硅铸锭。本专利技术的有益效果：本专利技术将静电场引入到传统的多晶硅铸锭工艺中，可以大大提高多晶硅晶粒尺寸、增强晶粒取向性，并且可以将多晶硅中多种带电杂质高效的去除，大幅提高多晶硅的产品质量。附图说明图1为实施例1、2中电场施加示意图；其中1导线，2石墨电极，3铸锭坩埚，4高压电源。具体实施方式以下实施例的主要目的是对本专利技术作进一步的说明，但并不用限制本专利技术，凡是采取相似方法及相似应用，均应纳入本专利技术的保护范围。实施例1：1.将两片石墨电极板置于多晶铸锭坩埚上下两侧，并保持平行；2.电极板外接高压电源，给电极板输出稳定电压；3.保持电场强度稳定在10V/cm，进行多晶硅铸锭工艺；4.铸锭结束，极板断电，即得到性能优异的多晶硅铸锭。实施例2：1.将两片碳化硅电极板置于多晶铸锭坩埚上下两侧，并保持平行；2.电极板外接高压电源，给电极板输出稳定电压；3.保持电场强度稳定在100V/cm，进行多晶硅铸锭工艺；4.铸锭结束，极板断电，即得到性能优异的多晶硅铸。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电场辅助多晶硅铸锭的方法，其特征在于，所述方法包括下述具体步骤：(1)将两片电极板置于多晶铸锭坩埚上下两侧，并保持平行；(2)电极板外接高压电源，给电极板输出稳定电压；(3)保持两极板间电场强度的稳定，进行多晶硅铸锭工艺；(4)铸锭结束，极板断电，即可得到性能优异的多晶硅铸锭。

【技术特征摘要】
1.一种静电场辅助多晶硅铸锭的方法，其特征在于，所述方法包括下述具体步骤：(1)将两片电极板置于多晶铸锭坩埚上下两侧，并保持平行；(2)电极板外接高压电源，给电极板输出稳定电压；(3)保持两极板间电场强度的稳定，进行多晶硅铸锭工艺；(4)铸锭结束，极板断电，即可得到性能优异的多晶硅铸锭。2.如权利要求一所述一种静电场辅助多晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨晓朋，张立来，曹丙强，
申请(专利权)人：济南大学，
类型：发明
国别省市：山东,37