【技术实现步骤摘要】
一种超长N型硅芯圆棒的生产工艺
本专利技术属于单晶硅料长晶领域，具体涉及一种超长N型硅芯圆棒的生产工艺。
技术介绍
单晶炉的工作原理：其主要工作原理是在惰性气体腔体中通过石墨电阻加热器以高温(1600℃)将石英坩埚内半导体材料(多晶硅)熔化、稳定，再通过籽晶与熔硅的接触，籍籽晶提升及旋转机构、坩埚提升及旋转机构、直径测定控制系统、温度测定控制系统等关键部件的精密配合，将多晶硅晶体的熔液进行单一方向的重新结晶，用于制备太阳能级,亦可以用于电路级的单晶硅晶体。
技术实现思路
专利技术目的：为了解决现有技术的不足，本专利技术提供了一种超长N型硅芯圆棒的生产工艺。技术方案：一种超长N型硅芯圆棒的生产工艺，包括如下步骤：装料——化料——安定——引晶——等径——收尾——冷却；其中：所述装料中：投料配比如下：OCI500：80kg-100kg，REC4023：40kg-60kg,块状边皮：20kg-40kg,母合金磷：30.0g-35.0g；石英坩埚尺寸：坩埚高度由380mm增加至410mm，便于一次投料；所述等径中：氩气流量设定50slm调整40slm,减少热量的流失；等径温补平均增加2℃，引导晶体缓慢生长；晶棒测量直径大于181mm；所述冷却中：功率30kw维持1小时，10kw维持1小时后关闭功率；出炉时间由6H调整到8H，充分冷却减少晶棒中热应力。有益效果：本专利技术中通过晶体生长过程中氩气流量的控制，以此保证晶体热量缓慢的散失。调整设备工艺参数，包括升高石墨加热器的加热功率、降低晶体的长晶速度，让温度缓慢降低，通过控制晶体生长速度，起到缓慢长晶的效果，减少位错和热应...
【技术保护点】
一种超长N型硅芯圆棒的生产工艺，其特征在于：包括如下步骤：装料——化料——安定——引晶——等径——收尾——冷却；其中：所述装料中：投料配比如下：OCI500：80kg‑100kg，REC4023：40kg‑60kg,块状边皮：20kg‑40kg,母合金磷：30.0g‑35.0g；石英坩埚尺寸：坩埚高度由380mm增加至410mm，便于一次投料；所述等径中：氩气流量设定50slm调整40slm,减少热量的流失；等径温补平均增加2℃，引导晶体缓慢生长；晶棒测量直径大于181mm；所述冷却中：功率30kw维持1小时，10kw维持1小时后关闭功率；出炉时间由6H调整到8H，充分冷却减少晶棒中热应力。
【技术特征摘要】
1.一种超长N型硅芯圆棒的生产工艺，其特征在于：包括如下步骤：装料——化料——安定——引晶——等径——收尾——冷却；其中：所述装料中：投料配比如下：OCI500：80kg-100kg，REC4023：40kg-60kg,块状边皮：20kg-40kg,母合金磷：30.0g-35.0g；石英坩埚尺寸：坩...
【专利技术属性】
技术研发人员：章勇，
申请(专利权)人：南通综艺新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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