等离子蚀刻装置用硅部件及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种等离子蚀刻装置用硅部件及等离子蚀刻装置用硅部件的制造方法，所述硅部件即使配置在等离子蚀刻装置的反应室内部，也不会因等离子蚀刻而提前损耗，且能够抑制粒子的产生。本发明专利技术的等离子蚀刻装置用硅部件，其在等离子蚀刻装置的反应室内部使用，所述硅部件的特征在于，由多晶硅、准单晶硅或单晶硅中的任一种构成，含有1×10

【技术实现步骤摘要】
等离子蚀刻装置用硅部件及其制造方法
本专利技术涉及一种在等离子蚀刻装置的反应室内部使用的等离子蚀刻装置用硅部件及等离子蚀刻装置用硅部件的制造方法。
技术介绍
以往，在半导体器件的制造工艺中，作为对晶圆的表面进行蚀刻处理的装置，广泛使用有例如专利文献1、2中示出的等离子蚀刻装置。其中，将等离子蚀刻装置的一例示于图5。该等离子蚀刻装置50具备被设为真空气氛的反应室51、配置在反应室51的内部的电极板52、相对于该电极板52隔开间隔而被对置配置的支架53、及在电极板52与支架53之间施加高频电压的高频电源54。对由上述等离子蚀刻装置50进行的等离子蚀刻处理方法进行说明。在支架53上载置晶圆1，且使蚀刻气体5经由形成于电极板52的贯穿细孔52a向晶圆1流动的同时通过高频电源54在电极板52与支架53之间施加高频电压。由此，在电极板52与支架53之间的空间内产生电浆7，且通过由电浆7引起的物理反应及由蚀刻气体5引起的化学反应来对晶圆1的表面进行蚀刻。作为上述电极板，例如如专利文献3、4所示，使用由单晶硅或多晶硅构成的硅电极板。其中，在上述等离子蚀刻装置中，存在因电浆和蚀刻气体而损耗电极板的表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子蚀刻装置用硅部件，其在等离子蚀刻装置的反应室内部使用，所述等离子蚀刻装置用硅部件的特征在于，由多晶硅或准单晶硅中的任一种构成，含有1×10

【技术特征摘要】
2012.12.27 JP 2012-2839841.一种等离子蚀刻装置用硅部件，其在等离子蚀刻装置的反应室内部使用，所述等离子蚀刻装置用硅部件的特征在于，由多晶硅或准单晶硅中的任一种构成，含有1×1018atoms/cc以上1×1020atoms/cc以下的范围内的硼作为掺杂剂，用EBSD法测定表面的结晶取向并求出以(001)、(101)、(111)为顶点的立体三角形内的取向分布，通过连接各边的二等分点与所述立体三角形的重心的线来将该立体三角形分割为三个区域、即(001)侧区域、(101)侧区域、(111)侧区域，通过用全部测定点数除位于各区域内的测定点数来求出在这些各区...

【专利技术属性】
技术研发人员：菊池文武，中田嘉信，
申请(专利权)人：三菱综合材料株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP