The invention discloses a device for wafer processing, a chamber containing a heating plate, mounted on the upper part of the heating plate, and installed in the chamber at the bottom of the guide ring, the chamber is filled with plasma etching, the wafer is placed on the heating plate, the inner wall of the guide ring is provided with a guide, the guide opening above the corresponding the wafer edge position of the plasma can be through the guide mouth blown to the edge of the wafer. The guiding mouth is provided with an arc shape or a triangular shape or a ladder shape, and the device can improve the positioning range of the wafer and improve the uniformity of the wafer etching.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工装置，具体涉及一种用于晶片加工的装置。
技术介绍
刻蚀晶片是将晶片4’放置在加热板1’上，再向晶片4’吹等离子体5’，该晶片4’尺寸与导向环3’直径基本一样。现有技术中，由于石英管尺寸已经固定且无法移动，所采用导向环3’内壁边缘为直角，晶片刻蚀时，因为位于腔室中的晶片每次定位会有一定的偏差，即如图1所示，晶片4’向右稍微偏离，就会造成晶片边缘无法直接接触到等离子体，从而降低晶片边缘的刻蚀率，影响了晶片刻蚀的均匀度。
技术实现思路
本专利技术提供了一种用于晶片加工的装置，该装置能够提高晶片定位的范围及边缘刻蚀率，改善晶片刻蚀的均匀度。为了达到上述目的，本专利技术通过以下技术方案实现：一种用于晶片加工的装置，包含加热板、安装在加热板上部的腔室，以及安装在腔室底端的导向环，该腔室充有等离子体，刻蚀时，晶片放置在加热板上，其特点是，所述的导向环内壁开设有导向口，该导向口对应在晶片边缘位置的上方，等离子体可以通过导向口吹向晶片的边缘。所述的导向口设为弧形或为三角状或为阶梯状。所述的...
【技术保护点】
一种用于晶片加工的装置，包含加热板（1）、安装在加热板（1）上部的腔室（2），以及安装在腔室（2）底端的导向环（3），该腔室（2）充有等离子体（5），刻蚀时，晶片（4）放置在加热板（1）上，其特征在于，所述的导向环（3）内壁开设有导向口（31），该导向口（31）对应在晶片（4）边缘位置的上方，等离子体（5）可以通过导向口吹向晶片（4）的边缘。
【技术特征摘要】
1.一种用于晶片加工的装置，包含加热板（1）、安装在加热板（1）上部的腔室（2），以及安装在腔室（2）底端的导向环（3），该腔室（2）充有等离子体（5），刻蚀时，晶片（4）放置在加热板（1）上，其特征在于，所述的导向环（3）内壁开设有导向口（31），该导向口（31）对应在晶片（4）...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡辉，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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