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本发明公开了一种用于晶片加工的装置，包含加热板、安装在加热板上部的腔室，以及安装在腔室底端的导向环，该腔室充有等离子体，刻蚀时，晶片放置在加热板上，导向环内壁开设有导向口，该导向口对应在晶片边缘位置的上方，等离子体可以通过导向口吹向晶片的边...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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