具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法，属于薄膜光电探测器部件制造工艺技术领域。本发明专利技术的目的是通过在采用近空间升华法制备CdZnTe薄膜之前先引入缓冲层（ZnTe/CdTe），从而达到提高CdZnTe薄膜质量的目的，给CdZnTe薄膜在光电探测器设备中的实际应用提供了新的方案。本发明专利技术是一种具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法,其特点在于基于高真空近空间升华与磁控溅射镀膜一体化工艺设备，以预处理过的单晶Si为衬底，先溅射ZnTe/CdTe作为缓冲层，再传输到升华腔内用CdZnTe单晶的粉末源沉积一层CdZnTe薄膜，之后对CdZnTe薄膜进行退火及腐蚀等后处理，并通过电子束沉积叉指型的金电极获得理想欧姆接触，最终制得薄膜光电探测器部件。

【技术实现步骤摘要】
具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法
本专利技术涉及具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法，属于属于光电探测器器件制造工艺

技术介绍
CdZnTe晶体是直接带隙的II-VI族化合物半导体，可以看作是由CdTe和ZnTe的固溶成。CdZnTe禁带宽度可随着Zn含量的不同而从1.45eV到2.2eV变化，在室温下使用可以省去昂贵、复杂的冷却系统，可以降低整个系统的成本。CdZnTe的电阻率高因此在高温下也能有较小的漏电流，并且CdZnTe的极化效应比CdTe晶体要低很多，辐射探测衰减现象比CdTe弱，有利于探测。此外CdZnTe光灵敏度高，平均原子序数高，可以有较高的探测效率。CdZnTe单晶在室温高能射线探测器中被认为最有潜力的的材料，具有较好的探测效率和能量分辨率。但是随着大面积探测器的不断发展，对CdZnTe单晶质量和尺寸的要求不断提高，使得晶体生长带来很大困难。对于大尺寸CdZnTe探测器的应用，CdZnTe薄膜相对于晶体具有优势。CdZnTe薄膜的制备技术简单，成本更低，最重要的是容易得到大面的CdZnTe薄膜。获得CdZnTe薄膜的方法有很多，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法，其特征具有以下的过程和步骤：a. 衬底Si片的预处理：采用本征单晶Si片做为衬底，将衬底先用曲拉通去除表面的油污，再用去离子水、丙酮和乙醇分别超声清洗5~20分钟，去除衬底表面的有机物与杂质，最后将衬底放在在氢氟酸的稀释浓液中浸泡10~15分钟去除表面的SiO2，烘干后放入高真空近空间升华与磁控溅射镀膜设备的磁控溅射腔内；b. 磁控溅射缓冲层：以Si为衬底采用磁控溅射法依次溅射ZnTe和CdTe薄膜作为CdZnTe薄膜生长的缓冲层；靶材分别为纯度为99.99%的ZnTe和CdTe；ZnTe和CdTe的溅射条件相同，即溅射气氛为氩气，溅射气压...

【技术特征摘要】
1.一种具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法，其特征具有以下的过程和步骤：a.衬底Si片的预处理：采用本征单晶Si片做为衬底，将衬底先用曲拉通去除表面的油污，再用去离子水、丙酮和乙醇分别超声清洗5~20分钟，去除衬底表面的有机物与杂质，最后将衬底放在在氢氟酸的稀释浓液中浸泡10~15分钟去除表面的SiO2，烘干后放入高真空近空间升华与磁控溅射镀膜设备的磁控溅射腔内；b.磁控溅射缓冲层：以Si为衬底采用磁控溅射法依次溅射ZnTe和CdTe薄膜作为CdZnTe薄膜生长的缓冲层；靶材分别为纯度为99.99%的ZnTe和CdTe；ZnTe和CdTe的溅射条件相同，即溅射气氛为氩气，溅射气压为1~6mTorr，溅射功率50~200W,溅射时间20~100min；ZnTe和CdTe的膜厚分别在0.05~1mm；缓冲层制备好以后，通过设备自带的机械手将衬底传输到近空间升华腔内；c.真空沉积CdZnTe薄膜：首先是C...

【专利技术属性】
技术研发人员：王林军，季欢欢，杨瑾，黄健，吴杨琳，周家伟，沈意斌，张继军，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：上海,31