The invention discloses a three-dimensional chip packaging method, including: the slide side etching groove and a plurality of blind holes, grooves to be used to provide a packaged chip; redistribution layer line on one side of the slide groove and a plurality of blind hole etching production, at least in part re distribution of road layout layer lines in a blind hole inside; forming a plurality of solder joints in the redistribution layer on the line, a plurality of solder joints to be used for fixing the chip package; will be fixed in a plurality of chip welding joints; cut slide relative to the other side of the etching groove and a plurality of blind holes located in the side of the distribution of a plurality of blind holes in the line layer is at least partially exposed on the other side in order to make the slide. The invention avoids the internal stress and damage caused by the direct or indirect manufacture of the chip through the chip, thereby increasing the number of IO in the chip packaging and improving the reliability of the chip package.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装
,具体涉及一种芯片封装方法。
技术介绍
近几年来,集成电路芯片制造技术已进入纳米范围,并正在向物理“极限”挑战。集成电路的集成度越来越高。功能越来越强,所需引线脚数越来越多。集成电路的这种快步发展使得集成电路芯片封装基板面临着巨大的挑战。在3D芯片封装或晶圆级封装时,倒焊封装(Flip-Chip,FC)工艺的出现可以使芯片封装的体积减小,为了增加输入/输出(Input/Output,I/O)接口,一般在FC工艺的基础上对芯片进行硅通孔(ThroughSiliconVia,TSV)作业,然而,对芯片或晶圆进行硅通孔作业,会导致晶圆产生内应力,对晶圆造成损伤。因此,需要考虑芯片内应力损伤及散热的问题。现有技术中,公开号为CN102623426A的中国专利公开了一种半导体封装结构及其形成方法,其公开的技术方案中,将芯片通过胶键合倒装至槽底后,通过载片刻蚀使得芯片焊盘裸露。该方案在有芯片的结构下对载片进行刻蚀,依然会对芯片造成应力损伤。因此,如何在提高IO数量的情况下减小芯片内应力及损伤成为亟待解决的问题。
技术实现思路
因此,本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中的倒焊封装时若要通过对芯片作业TSV提高IO数量,芯片会产生内应力及损伤的缺陷,从而提供一种芯片三维封装方法,包括:在载片的一侧刻蚀出凹槽和多个盲孔,凹槽用于提供待封装芯片放置位;在载片刻蚀凹槽和多个盲孔的一侧制作再分布层线路,至少部分再分布层线路布置在多个盲孔内;在再分布层线路上形成多个焊点,多个焊点用于固定待封装芯片;将待封装芯片焊接固定在多个焊点上;裁减载片相对 ...
【技术保护点】
一种芯片封装方法,其特征在于,包括如下步骤:在载片的一侧刻蚀出凹槽和多个盲孔,所述凹槽用于提供待封装芯片放置位;在所述载片刻蚀凹槽和多个盲孔的一侧制作再分布层线路,至少部分再分布层线路布置在所述多个盲孔内;在所述再分布层线路上形成多个焊点,所述多个焊点用于固定所述待封装芯片;将所述待封装芯片焊接固定在所述多个焊点上;裁减所述载片相对于刻蚀凹槽和多个盲孔一侧的另一侧,以使位于所述多个盲孔内的再分布层线路至少部分露出所述载片的另一侧。
【技术特征摘要】
1.一种芯片封装方法,其特征在于,包括如下步骤:在载片的一侧刻蚀出凹槽和多个盲孔,所述凹槽用于提供待封装芯片放置位;在所述载片刻蚀凹槽和多个盲孔的一侧制作再分布层线路,至少部分再分布层线路布置在所述多个盲孔内;在所述再分布层线路上形成多个焊点,所述多个焊点用于固定所述待封装芯片;将所述待封装芯片焊接固定在所述多个焊点上;裁减所述载片相对于刻蚀凹槽和多个盲孔一侧的另一侧,以使位于所述多个盲孔内的再分布层线路至少部分露出所述载片的另一侧。2.根据权利要求1所述的芯片封装方法,其特征在于,所述载片为硅载片。3.根据权利要求1所述的芯片封装方法,其特征在于,所述凹槽深度大于所述待封装芯片的高度,所述凹槽的角度大于或等于90°...
【专利技术属性】
技术研发人员:任玉龙,孙鹏,
申请(专利权)人:华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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