膜形成方法及薄膜晶体管的制作方法技术

本发明专利技术提供一种即便在氧化物半导体膜上直接形成氟化硅氮化膜也可抑制所述氧化物半导体膜的电阻降低的膜形成方法。所述膜形成方法包括：表面处理步骤40，准备在基板上具有氧化物半导体膜的物品，使用氧与氢的混合气体且氢的比例为8％以下(不包括0)的混合气体来生成等离子体，并利用所述等离子体对氧化物半导体膜的表面进行处理；成膜步骤42，其后利用使用含有四氟化硅气体及氮气的原料气体而生成等离子体的等离子体CVD法，在所述氧化物半导体膜上形成氟化硅氮化膜(SiN：F膜)；以及退火步骤44，其后对所述基板及所述基板上的膜进行加热。

Film forming method and method for manufacturing thin film transistor

The present invention provides a film forming method for inhibiting the formation of a fluorinated silicon nitride film directly on an oxide semiconductor film, as well as a reduction in the resistance of the oxide semiconductor film. The film forming method comprises the following steps: step 40 for surface treatment, including an oxide semiconductor film on the substrate of the goods, the proportion of mixed gas and hydrogen with oxygen and hydrogen is below 8% (not including 0) of the mixed gas to generate plasma, and the surface oxygen compound semiconductor film was processed by the plasma film; step 42, plasma CVD subsequently generated plasma using raw material gas containing four silicon tetrafluoride gas and nitrogen gas, the formation of fluorinated silicon nitride film on the oxide semiconductor film (SiN:F film); and annealing step 44, followed by heating of the substrate and the substrate membrane.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】膜形成方法及薄膜晶体管的制作方法
本专利技术涉及一种在氧化物半导体膜上形成氟化硅氮化膜(SiN：F膜)的方法及使用所述方法制作薄膜晶体管的方法。
技术介绍
已知如下膜形成方法：利用使用含有四氟化硅气体(SiF4)及氮气(N2)的原料气体的等离子体化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition，CVD)法，在氧化物半导体膜(例如铟镓锌氧化物(IndiumGalliumZincOxide，IGZO)膜)上直接或介隔其他要素而形成氟化硅氮化膜(SiN：F膜)(例如参照专利文献1)。氟化硅氮化膜具有以下特长：具有稳定的电气绝缘特性，并且与一直以来常被用作绝缘膜的硅氧化膜(SiO2)相比更致密，故防止杂质扩散的效果大。现有技术文献专利文献专利文献1日本专利第5454727号公报(段落0050～段落0055、段落0062、段落0065)
技术实现思路
专利技术所要解决的问题关于如上所述的现有的膜形成方法，得知存在以下课题：若在氧化物半导体膜上直接(即，不介隔其他膜等要素。以下相同)形成氟化硅氮化膜，则氧化物半导体膜的电阻大幅度地降低。可认为其原因在于：氧化物半导体膜中的氧经成膜时的原料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种膜形成方法，其特征在于包括：表面处理步骤，准备在基板上具有氧化物半导体膜的物品，使用氧与氢的混合气体且氢的比例为8％以下(不包括0)的混合气体来生成等离子体，并利用所述等离子体对所述氧化物半导体膜的表面进行处理；成膜步骤，其后利用使用含有四氟化硅气体及氮气的原料气体而生成等离子体的等离子体化学气相沉积法，在所述氧化物半导体膜上形成在硅氮化膜中含有氟的氟化硅氮化膜；以及退火步骤，其后对所述基板及所述基板上的膜进行加热。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.13 JP 2015-0262551.一种膜形成方法，其特征在于包括：表面处理步骤，准备在基板上具有氧化物半导体膜的物品，使用氧与氢的混合气体且氢的比例为8％以下(不包括0)的混合气体来生成等离子体，并利用所述等离子体对所述氧化物半导体膜的表面进行处理；成膜步骤，其后利用使用含有四氟化硅气体及氮气的原料气体而生成等离子体的等离子体化学气相沉积法，在所述氧化物半导体膜上形成在硅氮化膜中含有氟的氟化硅氮化膜；以及退火步骤，其后对所述基板及所述基板上的膜进行加热。2.根据权利要求1所述的膜形成方法，其中在所述表面处理步骤及所述成膜步骤中，使用通过感应耦合而生成等离子体的感应耦合型的等离子体生成方法来生成所述等离子体...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥英治，
申请(专利权)人：日新电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP