BCD器件的制备方法技术

本发明专利技术实施例提供一种BCD器件的制备方法，该方法包括：在硅衬底上方进行垫氧处理，垫氧处理的氧化层的厚度大于500埃；采用离子注入工艺，在硅衬底中注入离子；将BCD器件在炉管中进行推阱处理，以形成阱区，推阱处理在氧气氛围中。减少注入离子时打伤硅衬底，并且在进行推阱处理时在氧气氛围中，有助于修复衬底损伤，从而减少了BCD器件在推阱处理后形成的衬底凹坑现象，提高了BCD器件的性能。

Method for preparing BCD device

The embodiment of the invention provides a preparation method of BCD device, the method includes: processing oxygen pad over a silicon substrate, the oxide layer thickness of the pad oxygen is larger than 500; the technology of ion implantation, ion implantation in silicon substrate; BCD device in furnace tube push well, to the formation of wells, wells push treatment in oxygen atmosphere. To reduce the ion implanted silicon substrate and wounded, in pushing well treatment in oxygen atmosphere, help repair the substrate damage, thereby reducing the substrate BCD device is formed in a push pit phenomenon well after treatment, improve the performance of BCD devices.

【技术实现步骤摘要】
BCD器件的制备方法
本专利技术实施例涉及半导体器件制备
，尤其涉及一种BCD器件的制备方法。
技术介绍
BCD工艺是一种单片集成工艺技术，这种技术能够在同一芯片上制备双极型晶体管(Bipolar)、CMOS管和DMOS器件，所以通过BCD工艺制备出来的器件为BCD器件。该BCD器件综合了双极器件的高跨导、强负载驱动能力和CMOS器件高集成度、低功耗的优点以及集成了DMOS功率器件。在制备BCD器件过程中，在衬底有时会出现凹坑，出现衬底凹坑的原因很多，如等离子损伤、硅生长缺陷、硅衬底氮化等。其中有一种衬底凹坑的形成是由于BCD器件在进行推阱工艺时形成的。进行推阱工艺形成的衬底凹坑具有出现在固定区域，图形不规则的特点。现有的推阱工艺在衬底形成凹坑，会影响BCD器件的性能，所以亟需一种推阱工艺造成衬底凹坑的解决方法。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种BCD器件的制备方法，减少了BCD器件在推阱处理后形成的衬底凹坑现象，提高了BCD器件的性能。本专利技术实施例提供一种BCD器件的制备方法，包括：在硅衬底上方进行垫氧处理，所述垫氧处理的氧化层的厚度大于500埃；采用离子注入工艺，在所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种BCD器件的制备方法，其特征在于，包括：在硅衬底上方进行垫氧处理，所述垫氧处理的氧化层的厚度大于500埃；采用离子注入工艺，在所述硅衬底中注入离子；将BCD器件在炉管中进行推阱处理，以形成阱区，所述推阱处理在氧气氛围中。

【技术特征摘要】
1.一种BCD器件的制备方法，其特征在于，包括：在硅衬底上方进行垫氧处理，所述垫氧处理的氧化层的厚度大于500埃；采用离子注入工艺，在所述硅衬底中注入离子；将BCD器件在炉管中进行推阱处理，以形成阱区，所述推阱处理在氧气氛围中。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在硅衬底上方进行垫氧处理，所述垫氧处理的氧化层的厚度大于500埃之后，还包括：对所述氧化层的厚度进行测量，使所述氧化层的厚度误差在50埃以内。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述采用离子注入工艺，在所述硅衬底中注入离子后，还包括：依次采用SPM溶液，SC1溶液和SC2溶液对注入离子之后形成的图案表面进行清洗处理。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述将B...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈定平，段久勇，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11