SOI低阻横向高压器件及其制造方法技术
【技术实现步骤摘要】
SOI低阻横向高压器件及其制造方法
本专利技术属于半导体功率器件
，具体涉及一种SOI低阻横向高压器件及其制造方法。
技术介绍
相较于常规的体硅技术，SOI技术具有高速、低功耗、高集成度、寄生效应小、隔离特性良好、闭锁效应小以及强抗辐射能力等优点，使集成电路的可靠性和抗软失误能力大大提高，从而正逐渐成为制造高速度、低功耗、高集成度和高可靠性的集成电路的主流技术。以SOI横向高压器件为基础的SOI高压集成电路(HighVoltageIC，简称HVIC)，作为智能功率集成电路(SmartPowerIC，简称SPIC)领域的一个新兴分支，近年来得到了迅速的发展。然而，SOI横向高压器件较低的纵向耐压限制了其在HVIC中的应用，根据SOI介质场增强(ENhancedDIelectriclayerField，简称ENDIF)普适理论，采用超薄顶层硅可提高SOI器件的纵向耐压，但同时也导致了较大的比导通电阻。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种SOI低阻横向高压器件及其制造方法，能够保持器件高击穿电压的同时降低器件比导通电阻。为实现上述专...
【技术保护点】
一种SOI低阻横向高压器件的制造方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1：选择SOI材料，该材料包括Si衬底层(1)、埋氧层(2)以及绝缘体上硅层；步骤2：在绝缘体上硅层上进行漂移区的两段式线性变掺杂，通过注入N型杂质形成不同变化斜率的N型线性变掺杂厚SOI层(4)与薄硅层漂移区(44)；步骤3：在N型分段式线性变掺杂漂移区上进行局部氧化，形成薄硅层区，即厚介质层(3)；步骤4：在N型分段式线性变掺杂漂移区上进行硼注入，形成Pwell区(11)；步骤5：在N型分段式线性变掺杂漂移区上进行磷注入，形成Nwell区(43)；步骤6：在N型分段式线性变掺杂漂移区形成栅极前，近栅极的位...
【技术特征摘要】
1.一种SOI低阻横向高压器件的制造方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1：选择SOI材料，该材料包括Si衬底层(1)、埋氧层(2)以及绝缘体上硅层；步骤2：在绝缘体上硅层上进行漂移区的两段式线性变掺杂，通过注入N型杂质形成不同变化斜率的N型线性变掺杂厚SOI层(4)与薄硅层漂移区(44)；步骤3：在N型分段式线性变掺杂漂移区上进行局部氧化，形成薄硅层区，即厚介质层(3)；步骤4：在N型分段式线性变掺杂漂移区上进行硼注入，形成Pwell区(11)；步骤5：在N型分段式线性变掺杂漂移区上进行磷注入，形成Nwell区(43)；步骤6：在N型分段式线性变掺杂漂移区形成栅极前，近栅极的位置表面生长一层场氧化层，形成栅氧化层(5)；步骤7：淀积多晶硅，形成多晶硅栅电极(6)；步骤8：利用高能离子注入进行N型杂质注入，严格控制注入能量与注入时间，形成N条(45)；步骤9：利用离子注入进行P型杂质注入，严格控制注入能量与注入时间，形成P条(13)；步骤10：进行第一P型重掺杂区(12)、第一N型重掺杂区(41)以及第二N型重掺杂区(42)的注入，形成欧姆接触，引出电极；步骤11：第一层接触孔刻蚀，淀积铝金属，形成源极接触电极(7)与漏极接触电极(8)。2.根据权利要求1所述的SOI低阻横向高压器件的制造方法，其特征在于：漂移区线性变掺杂为两段式线性变掺杂，所述两段式线性变掺杂即实现两段不同浓度梯度的掺杂，通过设计漂移区掩膜版的不同开口宽度来实现。3.根据权利要求1所述的SOI低阻横向高压器件的制造方法，其特征在于：通过注入能量与注入时间的严格控制，使N条(45)、P条(13)与埋氧层(2)上表面相接触或不接触、或者N条(45)、P条(13)位于厚SOI层(4)体内。4.根据权利要求1所述的SOI低阻横向高压器件的制造方法，其特征在于：通过设计掩膜版的不同开口数量实现P条与N条的多次重复。5.根据权利要求1所述的SOI低阻横向高压器件的制造方法，其特征在于：设计P条(13)与N条(45)掩膜版的不同宽度来实现P条与N条宽度的不同。6.根据权利要求1所述的SOI低阻横向高压器件的制造方法，其特征在于：步骤8和步骤9的顺序互换，且步骤8与步骤9必须在高温过程之后进行。7.根据权利要求1所述的SOI低阻...
【专利技术属性】
技术研发人员：乔明，詹珍雅，章文通，肖倩倩，曾莉尧，曹厚华，丁柏浪，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，电子科技大学广东电子信息工程研究院，
类型：发明
国别省市：四川,51
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