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本发明提供一种SOI低阻横向高压器件及其制造方法，包括以下步骤：以SOI为衬底，形成N型线性变掺杂厚SOI层与薄硅层漂移区、形成薄硅层区即厚介质层、形成Pwell区；形成Nwell区、形成栅氧化层、形成多晶硅栅电极、形成N条、形成P条、进行...该专利属于电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院授权不得商用。