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本发明提供一种即便在氧化物半导体膜上直接形成氟化硅氮化膜也可抑制所述氧化物半导体膜的电阻降低的膜形成方法。所述膜形成方法包括：表面处理步骤40，准备在基板上具有氧化物半导体膜的物品，使用氧与氢的混合气体且氢的比例为8％以下(不包括0)的混合...
该专利属于日新电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日新电机株式会社授权不得商用。

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