The present invention provides a method for preparing a ITO steam plating target, which comprises the following steps: 1) the first part of the heat treatment of raw indium tin oxide nano powder and micron powder; 2) the raw material of indium oxide and tin oxide nano micron powder powder after heat treatment evenly, then adding additives for wet milling 3); step 2) treatment with lipid ITO powder, constant temperature and humidity drying; 4) the dried granulation powder into ITO pre press forming metal mold, then cold isostatic pressing, get blank; 5) blank degreasing, by molding molding and sintering; 6) preparation of ITO target. The invention improves the structure of the ITO evaporation material through the improvement of the preparation process, and avoids the problem of cracking when the high-energy electron beam is bombarded.
【技术实现步骤摘要】
ITO蒸镀靶的制备方法
本专利技术属于蒸发镀膜材料制备方法
,具体涉及一种ITO蒸镀靶的制备方法。
技术介绍
ITO(锡铟氧化物)的主要成分是氧化锡固溶在氧化铟中的复合氧化物。ITO具有很好的光电性能,含有ITO的薄膜具有高的导电性和可见光透射性,被广泛应用于太阳能电池、液晶显示装置和触控电板等各种领域。制备ITO薄膜的方法有溅射法、真空蒸镀法、溶胶-凝胶法、团簇沉积法和PLD法等。而真空蒸镀法则需要具有较好耐热冲击能力的陶瓷蒸发原材料。电子束蒸发的原材料可以是较小的颗粒,或者大的块体。若使用小颗粒堆积在一起蒸发时,会影响气化时气体的散射,影响薄膜的均匀性。因此,开发了大的块体蒸发材料,例如授权公告号为CN102731067B的专利所公开的高密度ITO蒸镀靶材。若将高密度陶瓷靶材直接用于电子束蒸镀或者反应等离子体沉积,靶材较为容易开裂,影响蒸发源的散射及所沉积薄膜的均匀性、致密度等。为了提升蒸镀靶材的抗热冲击能力,可以降低靶材的致密度来释放热应力,例如授权公告号为CN102731068B的专利所公开的低密度的ITO蒸镀靶材。但是,通过简单的降低蒸镀材料的密度,虽然可以释放部分的热应力,降低陶瓷在高能电子束轰击时的开裂可能性,但由于结合强度不够,并不能达到完全避免开裂的要求。
技术实现思路
本专利技术提出一种ITO蒸镀靶的制备方法,通过制备工艺的改进,实现ITO蒸发材料的结构强化,避免高能电子束轰击时开裂的问题。本专利技术的技术方案是这样实现的:一种ITO蒸镀靶的制备方法,包括如下步骤:1)对氧化铟微米粉末和氧化锡纳米粉末进行热处理,热处理温度800~10 ...
【技术保护点】
一种ITO蒸镀靶的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:1)对氧化铟微米粉末和氧化锡纳米粉末进行热处理,热处理温度800~1000℃,热处理时间2~8小时;2)将热处理后的氧化铟微米粉末和氧化锡纳米粉末按质量比9:1混合,在乙醇介质里进行球磨粉碎和混合,球磨时间8~16小时,再掺入添加剂,继续混合4~24小时,使有机物均匀包覆粉体,其中添加剂包括粘接剂、润滑剂和分散剂;3)将步骤2)处理的掺脂ITO粉,进行恒温恒湿干燥,干燥的相对湿度控制在30~90%,干燥时间为50~70小时,干燥温度为30~50℃;4)将干燥后的造粒ITO粉放入金属模具中预压成型,压力为60~140MPa,再进行冷等静压压制,压力为200~350MPa,得到素坯;5)素坯进行脱脂,脱脂温度为400~600℃,脱脂时间为4~12小时,得到成型体;6)成型体进行烧结即制得ITO靶材,烧结温度1000~1300℃,其中在1000~1100℃时保温3~8小时,此时为氧气气氛,压强控制在0.4~1.5atm,然后升温至1200~1300℃继续烧结,保温0.5~3小时,此时烧结气氛为氧气气氛,压强控制在1.0~2.5atm;第二 ...
【技术特征摘要】
1.一种ITO蒸镀靶的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:1)对氧化铟微米粉末和氧化锡纳米粉末进行热处理,热处理温度800~1000℃,热处理时间2~8小时;2)将热处理后的氧化铟微米粉末和氧化锡纳米粉末按质量比9:1混合,在乙醇介质里进行球磨粉碎和混合,球磨时间8~16小时,再掺入添加剂,继续混合4~24小时,使有机物均匀包覆粉体,其中添加剂包括粘接剂、润滑剂和分散剂;3)将步骤2)处理的掺脂ITO粉,进行恒温恒湿干燥,干燥的相对湿度控制在30~90%,干燥时间为50~70小时,干燥温度为30~50℃;4)将干燥后的造粒ITO粉放入金属模具中预压成型,压力为60~140MPa,再进行冷等静压压制,压力为200~350MPa,得到素坯;5)素坯进行脱脂,脱脂温度为400~600℃,脱脂时间为4~12小时,得到成型体;6)成型体进行烧结即制得ITO靶...
【专利技术属性】
技术研发人员:张天舒,宋晓超,孔令兵,蒋卫国,钱邦正,
申请(专利权)人:安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽,34
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