The invention provides a method for forming an air gap with the interlayer dielectric layer, after grinding in the first medium with an air gap layer formed in the second dielectric layer first dielectric layer surface, the second dielectric layer can be formed on the air gap exposed, follow-up on the second dielectric layer grinding removal part of the second dielectric layer, second dielectric layer always cover the gap, follow-up to forming a metal layer, can avoid the metal layer penetrate to the air gap, thereby ensuring the first dielectric layer and the second dielectric layer composed of the interlayer dielectric layer of the K value, but also can form the first dielectric layer thickness by controlling and the chemical mechanical polishing degree to control the formation of the air gap height, position and size.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域,尤其涉及一种具有气隙的层间介质层的形成方法。
技术介绍
随着半导体集成度的不断增加,器件以及金属连线的密度也急剧增大,金属连线之间的RC(电阻和电容)延迟现象也越来越严重。现有技术中采用降低介质层的K值以降低电容,从而达到降低RC延迟的目的。传统方法是使用低K的介质层,然而低K值的介质层的K值也不能完全满足某些特定的要求。众所周知,空气的K值极低(远低于普通低K材料的K值),因此,具有气隙的层间介质层(IMD)应运而生。请参考图1至图3,图1至图3为现有技术中形成具有气隙的层间介质层过程中的结构示意图,现有技术中,形成具有气隙的层间介质层包括步骤:S1:提供半导体衬底10,所述半导体衬底10表面形成有间隔排列的多个金属线20,所述金属线20之间存在凹槽,所述凹槽的开口宽度为S,深度为H,如图1所示;S2:在所述半导体衬底10以及金属线20的表面形成介质层30,所述介质层30填充所述凹槽;传统工艺中,填充凹槽会采用填洞能力较强的HDPCVD(高密度等离子体化学汽相淀积)来形成,由于HDPCVD具有较强的填充能力,不会形成气隙,无法达到形成气隙的目的。因此,为了形成气隙得到更低的K值,在此步骤中采用填充能力较弱正常的CVD(化学气相沉积)工艺形成介质层30,由于较大的深宽比会导致填充能力较弱的CVD工艺在形成介质层30是会在较大深宽比的凹槽处形成气 ...
【技术保护点】
一种具有气隙的层间介质层的形成方法,包括步骤:提供半导体衬底,所述半导体衬底表面形成有至少一层具有气隙的第一介质层;对所述具有气隙的第一介质层进行化学机械研磨处理,去除部分第一介质层并暴露出一部分气隙;在所述第一介质层的表面形成第二介质层;对所述第二介质层进行化学机械研磨处理,去除部分第二介质层。
【技术特征摘要】
1.一种具有气隙的层间介质层的形成方法,包括步骤:
提供半导体衬底,所述半导体衬底表面形成有至少一层具有气隙的第一介
质层;
对所述具有气隙的第一介质层进行化学机械研磨处理,去除部分第一介质
层并暴露出一部分气隙;
在所述第一介质层的表面形成第二介质层;
对所述第二介质层进行化学机械研磨处理,去除部分第二介质层。
2.如权利要求1所述的具有气隙的层间介质层的形成方法,其特征在于,
所述具有气隙的第一介质层的形成步骤包括:
提供半导体衬底,所述半导体衬底表面设有间隔排列的多个金属线,所述
金属线之间具有凹槽;
在所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄冲,李志国,李协吉,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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