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本发明提出了一种具有气隙的层间介质层的形成方法，在对具有气隙的第一介质层进行研磨之后，在第一介质层表面形成第二介质层，由于第二介质层能够形成于暴露出的气隙之上，后续对第二介质层进行研磨只去除部分第二介质层时，第二介质层始终覆盖气隙，后续继续...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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