一种以全氟代亚苯基为核心的OLED光电材料及其应用制造技术

本发明专利技术涉及一种以全氟代亚苯基为核心的OLED光电材料及其应用，具有如式Ⅰ所示的分子结构：

A perfluorinated phenyl generation as the core of the OLED photoelectric material and its application

The invention relates to a perfluorinated phenyl generation as the core of the OLED photoelectric material and its application, with the molecular structure of the formula i:

【技术实现步骤摘要】
一种以全氟代亚苯基为核心的OLED光电材料及其应用
本专利技术涉及一种OLED光电材料及其应用，尤其涉及一种以全氟代亚苯基为核心的OLED光电材料及其应用。
技术介绍
近年来，一些用于OLED器件的光电材料已日益为人所知，众所周知芳香二胺衍生物在OLED器件中作为空穴传输材料，使用该类材料时，需要提高器件施加电压以获得足够的发光亮度，这就造成器件寿命的缩短，并增加了耗电量。为解决这些问题，通过掺杂电子受体化合物可以使OLED器件中空穴注入和空穴传输得到显著改善(文献：HeGufeng，Appl.Phys.lett.85(2004)3911-3913)。在同样的发光效率下，其电子受体化合物的加入可以较大幅度的降低OLED器件工作电压。强的电子受体化合物诸如四氰基醌二甲烷(TCNQ)或2,3,5,6-四氟代-四氰基-1,4-苯醌二甲烷(F4TCNQ)。对于现有的通过掺杂电子受体化合物来改善空穴传输的方法(即P掺杂)，所用材料的物理性质在升华纯化或真空蒸镀过程中是存在问题的，其中涉及蒸发性极难控制的氟化的四氰基苯醌二甲烷(TCNQ或F4TCNQ)，由于其分子量较小，升华过程中很容易扩散至设本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种以全氟代亚苯基为核心的OLED光电材料，其特征在于，具有如式Ⅰ所示的分子结构：

【技术特征摘要】
1.一种以全氟代亚苯基为核心的OLED光电材料，其特征在于，具有如式Ⅰ所示的分子结构：其中，所述Ar表示式Ⅱ所示的基团：式Ⅱ中所述的R1-R5独立的选自氯、氟、硝基、三氟甲基、异硫氰基或氰基中的任意一种。2.根据权利要求1所述的OLED光电材料，其特征在于，其具有如下所示的分子结构：3.一种有机电致发光器件，其特征在于，其功能层中包含权利要求1或2所述的OLED光电材料。4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：慈振华，林存生，马永洁，石宇，胡葆华，孟凡民，孙晟源，
申请(专利权)人：中节能万润股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37