The utility model relates to a device for reducing magnetron sputtering chamber temperature, which comprises a carrier (1), the carrier plate (1) is arranged above the carrier (3), the carrier plate (1) is a thermal energy storage material (7), the internal sealing the carrier plate (1) to form a plurality of protrusions of the upper surface (2), the carrier (3) is provided with a plurality of through holes (4), protrusion (2) embedded in the through hole (4), the carrier (3) on the surface of adhesion with double-sided tape (5), the double-sided adhesive tape (5) corresponding to the through hole (4) position is provided with an opening (6), the carrier (3) are arranged around the baffle (8). The utility model relates to a device for reducing magnetron sputtering chamber temperature, by the internal seal carrier phase change heat storage materials, the phase-change material transformation process can make the phase-change material to absorb and store large amount of latent heat, in order to achieve the purpose of reducing the sputtering chamber temperature.
【技术实现步骤摘要】
一种用于降低磁控溅射镀膜腔体温度的治具
本技术涉及一种用于降低磁控溅射镀膜腔体温度的治具,属于半导体封装
技术介绍
目前,现有的磁控溅射腔体降温的方法是在溅射腔体内承载被溅镀产品的载具内部设置冷却通道,通过冷却介质进行降温。此种方式虽然能够使sputter制程的温度降低,但是设置冷却通道的磁控溅射设备只适合小量生产。工业量产磁控溅射机台都为条带式线形一体机,其中包括除湿、等离子清洗、磁控溅射、高真空缓冲腔等模块组成。由于传送载盘为条带式,因此不适合设置冷却通道冷却。如果采用冷却通道冷却,那么冷却通道就必须同载盘一同在溅射真空腔体滑轨上来回移动,与腔体外衔接的冷却结合机构将严重影响腔体高真空的环境,容易有漏真空的问题产生,杂质气体也容易进入溅射腔体内,造成溅射靶材易于杂质气体的离子结合,影响镀膜品质;低真空的环境会影响靶材附着于产品表面的能力,导致镀膜脱落的问题产生。另外,载盘来回移动会产生冷却通道接口处漏水问题,容易使设备产生故障。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种用于降低磁控溅射镀膜腔体温度的治具,它能够使sputter制程 ...
【技术保护点】
一种用于降低磁控溅射镀膜腔体温度的治具,其特征在于:它包括载盘(1),所述载盘(1)上方设置有载具(3),所述载盘(1)内部密封有相变储热材料(7),所述载盘(1)上表面形成多个突起部(2),所述载具(3)上开设有多个通孔(4),所述载盘(1)的多个突起部(2)分别嵌入载具(3)的多个通孔(4)内,所述载具(3)上表面粘附有双面胶带(5),所述双面胶带(5)上对应通孔(4)的位置设置有开口(6),所述载具(3)周围设置有挡板(8)。
【技术特征摘要】
1.一种用于降低磁控溅射镀膜腔体温度的治具,其特征在于:它包括载盘(1),所述载盘(1)上方设置有载具(3),所述载盘(1)内部密封有相变储热材料(7),所述载盘(1)上表面形成多个突起部(2),所述载具(3)上开设有多个通孔(4),所述载盘(1)的多个突起部(2)分别嵌入载具(3)的多个通孔(4)内,所述载具(3)上表面粘附有双面胶带(5),所述双面胶带(5)上对应通孔(4)的位置设置有开口(6),所述载具(3)周围设置有挡板(8)。2.根据权利要求1所述的一种用...
【专利技术属性】
技术研发人员:汤上金,袁安平,刘立筠,邢发军,
申请(专利权)人:江苏长电科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏,32
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