源极多晶硅的形成方法技术

本发明专利技术提出了一种源极多晶硅的形成方法，在研磨去除位于绝缘层表面的多晶硅后，不再进行过研磨，因此不会对位于开口边缘的侧墙造成损伤，而是直接通过刻蚀去除残留物以及其它区域凹槽内的多晶硅层，由于多晶硅和侧墙的刻蚀选择比较大，因此刻蚀不会对侧墙造成损伤，从而保证形成的器件性能良好，可靠性高。

Method for forming source polysilicon

The invention provides a method for forming a polycrystalline silicon source, in the grinding removal in the insulating polycrystalline silicon surface, no longer had grinding, so not on the edge of the opening in the side wall damage, but directly removed by etching the polysilicon layer residues and other areas of the groove, and the side wall of the polysilicon etching selection relatively large, so the etching will not cause damage to the side wall, so as to ensure a good device performance, high reliability.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种源极多晶硅的形成方法。
技术介绍
半导体制造过程中，形成源极多晶硅（SourcePoly）时，先是沉积形成一层多晶硅层，然后采用化学机械研磨磨去一部分多晶硅，仅保留一部分多晶硅，作为源极多晶硅。具体的，请参考图1至图4，图1至图4为现有技术中形成源极多晶硅过程的结构示意图。现有技术中，源极多晶硅的形成方法包括步骤：S1：提供半导体衬底10，所述半导体衬底10上形成有浅沟槽隔离11、第一介质层20和第二介质层30，所述第二介质30和所述第一介质层20中设有一开口，所述开口暴露出所述半导体衬底10；S2：在所述开口的内壁依次形成第一侧墙41和第二侧墙42；S3：在所述半导体衬底10和第二介质层30的表面形成多晶硅层50，所述多晶硅层50填满所述开口，如图1所示；S4：对所述多晶硅层50进行化学机械研磨处理，去除位于所述第二介质层30表面的多晶硅层50，仅保留位于所述开口内的多晶硅层50，如图2所示；S5：对位于所述开口本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种源极多晶硅的形成方法，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有绝缘层，所述绝缘层设有一开口；在所述开口的内壁形成有侧墙，所述开口暴露出半导体衬底；在所述绝缘层和开口内形成多晶硅层；研磨去除位于所述绝缘层表面的多晶硅层，保留位于开口内的多晶硅层；对所述多晶硅层进行刻蚀，去除所述多晶硅层表面的残留物，形成源极多晶硅。

【技术特征摘要】
1.一种源极多晶硅的形成方法，包括步骤：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有绝缘层，所述绝缘层设有一开
口；
在所述开口的内壁形成有侧墙，所述开口暴露出半导体衬底；
在所述绝缘层和开口内形成多晶硅层；
研磨去除位于所述绝缘层表面的多晶硅层，保留位于开口内的多晶硅层；
对所述多晶硅层进行刻蚀，去除所述多晶硅层表面的残留物，形成源极多
晶硅。
2.如权利要求1所述的源极多晶硅的形成方法，其特征在于，所述半导体
衬底为硅衬底，并设有浅沟槽隔离。
3.如权利要求1所述的源极多晶硅的形成方法，其特征在于，所述绝缘层
包括第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：石强，李儒兴，秦海燕，李协吉，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31