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本发明提出了一种源极多晶硅的形成方法，在研磨去除位于绝缘层表面的多晶硅后，不再进行过研磨，因此不会对位于开口边缘的侧墙造成损伤，而是直接通过刻蚀去除残留物以及其它区域凹槽内的多晶硅层，由于多晶硅和侧墙的刻蚀选择比较大，因此刻蚀不会对侧墙造成...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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