非易失性静态随机存储器的备份方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种非易失性静态随机存储器NVSRAM的备份方法和装置，所述NVSRAM包括SRAM和非易失存储器NVM，所述方法包括：确定所述SRAM中的缓存块对应的最近使用位RUB值；按照RUB值从小到大的顺序，将所述SRAM的缓存块中的数据备份至所述NVM中。本方案基于SRAM中缓存块对应的RUB值，在系统掉电时，将SRAM中的数据备份到NVM中，省去了现有技术中关于死亡块判定的相关步骤，简化NVSRAM的备份方法，降低了NVSRAM中与备份相关的硬件开销。

Backup method and apparatus for non-volatile static random access memory

The invention discloses a non easy backup method and apparatus for non-volatile static random access memory NVSRAM, the NVSRAM includes SRAM and NVM nonvolatile memory, the method includes determining a cache block corresponding to the SRAM in the recently used RUB value; RUB value according to the order from small to large, data backup the cache block in the SRAM to the NVM. The SRAM cache block in the corresponding RUB based on value, when the system is powered down, the SRAM data backup to NVM, eliminating the steps about death block determination in the prior art, the simplified NVSRAM backup methods, and reduces the cost of hardware in the backup NVSRAM.

【技术实现步骤摘要】
非易失性静态随机存储器的备份方法和装置
本专利技术实施例涉及计算机领域，并且更具体地，涉及一种非易失性静态随机存储器的备份方法和装置。
技术介绍
近年来，随着大型多核计算系统的发展，对高密度、高性能片上缓存的需求日益增加。非易失静态随机存取存储器(StaticRandomAccessMemory，SRAM)是一种结合了SRAM和非易失存储器(NonvolatileMemory，NVM)的存储结构。在工作模式下采用SRAM进行数据的存储，在掉电时能够将数据写入到NVM单元中。非易失性SRAM(Non-volatileSRAM，NVSRAM)在保证存储的性能和数据可靠性的同时，降低了功耗，是未来移动终端、个人计算机(PersonalComputer，PC)和服务器的理想存储材料。NVSRAM的备份过程需要一个较大的片上储能电容供电，此电容会引入较大的芯片面积开销和成本开销。随着存储容量的增大，基于NVSRAM的并行备份的过程会产生大的峰值电流(Inrushcurrent)，降低系统的稳定性；基于NVSRAM的串行备份方式的备份时间会随着备份数据量的增长而增大，影响系统性能。在实际应用中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性静态随机存储器NVSRAM的备份方法，其特征在于，所述NVSRAM包括SRAM和非易失存储器NVM，所述方法包括：确定所述SRAM中的缓存块对应的最近使用位RUB值；按照RUB值从小到大的顺序，将所述SRAM的缓存块中的数据备份至所述NVM中。

【技术特征摘要】
1.一种非易失性静态随机存储器NVSRAM的备份方法，其特征在于，所述NVSRAM包括SRAM和非易失存储器NVM，所述方法包括：确定所述SRAM中的缓存块对应的最近使用位RUB值；按照RUB值从小到大的顺序，将所述SRAM的缓存块中的数据备份至所述NVM中。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述按照RUB值从小到大的顺序，将所述SRAM的缓存块中的数据备份至所述NVM中之前，所述方法还包括：将所述SRAM的缓存块中的脏块备份至所述NVM中。3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述SRAM的数据备份过程中，监测所述SRAM的备用电源的电量；当所述备用电源的电量小于或等于预设阈值时，停止所述数据备份过程。4.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，所述SRAM包括多列缓存行，其中每列缓存行包括一个或多个缓存块，所述按照RUB值从小到大的顺序，将所述SRAM的缓存块中的数据备份至所述NVM中，包括：逐列将所述多列缓存行中的RUB值为i的缓存块备份至所述NVM中，确定所述SRAM中的数据是否全部备份完毕，如果未全部备份完毕，重复执行本步骤，直到所述SRAM中的数据全部备份完毕或者所述SRAM的备用电源的电量小于或等于预设阈...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘旭东，宋昆鹏，陈云，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44