基准电压产生电路和方法技术

本发明专利技术提供了一种基准电压产生电路。该基准电压产生电路包括正温度系数电流电路、负温度系数电流电路以及电阻。正温度系数电流电路包括正温度系数电流产生电路，该正温度系数电流产生电路利用两个晶体管的栅源电压差在一电阻上产生正温度系数电流，以及针对所产生的正温度系数电流的电流镜，以下称为正温度系数电流镜。负温度系数电流电路耦接正温度系数电流电路、包含负温度系数电流镜以及负温度系数电流产生电路，利用单个晶体管的栅源电压在另一电阻上产生负温度系数电流。电阻耦接正温度系数电流电路和上述负温度系数电流电路，当正温度系数电流以及负温度系数电流流经电阻，在电阻上产生零温度系数的基准电压，整个基准电压产生电路全部由金属氧化物半导体场效应晶体管和电阻组成。

Reference voltage generating circuit and method

The invention provides a reference voltage generating circuit. The reference voltage generation circuit includes a positive temperature coefficient current circuit, a negative temperature coefficient current circuit, and a resistor. The positive temperature coefficient current circuit comprises a positive temperature coefficient current generating circuit, the positive temperature coefficient current generating circuit using the gate source voltage of two differential transistor positive temperature coefficient current generated in a resistor, and the positive temperature coefficient current generated by the current mirror, hereinafter referred to as the positive temperature coefficient of current mirror. The negative temperature coefficient current circuit is coupled with the positive temperature coefficient current circuit, comprising a negative temperature coefficient current mirror and negative temperature coefficient current generating circuit, the gate source voltage of a single transistor negative temperature coefficient current in a resistor. Resistance coupled with the positive temperature coefficient current circuit and the negative temperature coefficient current circuit, when the positive temperature coefficient current and negative temperature coefficient current through the resistor, the reference voltage generated in the zero temperature coefficient resistor, the reference voltage generating circuit by metal oxide semiconductor field effect transistor and resistor.

【技术实现步骤摘要】
基准电压产生电路和方法
本专利技术主要涉及基准电压产生技术，特别涉及通过金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，MOSFET)所构成的电路产生零温度系数的基准电压的基准电压产生技术。
技术介绍
在现今许多集成电路的应用上，经常会使用能隙参考电路(BandgapReference，BGR)来提供参考电压。在不同温度范围的情况下，能隙参考电路能够提供低消耗功率及低输出电压。在传统的能隙参考电路会使用三极管来实现，然而由于三极管的VBE已是0.7V左右，因此，当需要操作在低工作电压，例如：0.7V以下的情况时，将无法达到低操作电压的需求。
技术实现思路
有鉴于上述现有技术的问题，本专利技术提供了通过金氧半场效晶体管(MOSFET)所构成的电路产生零温度系数的基准电压的电路和方法。根据本专利技术的实施例提供了一种基准电压产生电路。上述基准电压产生电路包括正温度系数电流电路、负温度系数电流电路以及第一电阻。正温度系数电流电路包含正温度系数电流镜以及正温度系数电流产生电路，以及产生正温度系数电流。负温度系数电流电路耦接正温度系本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基准电压产生电路，包括：正温度系数电流电路，包括正温度系数电流镜以及正温度系数电流产生电路，以及产生正温度系数电流；负温度系数电流电路，耦接上述正温度系数电流电路、包括负温度系数电流镜以及负温度系数电流产生电路，以及产生负温度系数电流；以及第一电阻，耦接上述正温度系数电流电路和上述负温度系数电流电路，其中当上述正温度系数电流以及上述负温度系数电流流经上述第一电阻，在上述第一电阻上产生基准电压，以及其中上述正温度系数电流电路以及上述负温度系数电流电路由金属氧化物半导体场效晶体管和电阻组成。

【技术特征摘要】
1.一种基准电压产生电路，包括：正温度系数电流电路，包括正温度系数电流镜以及正温度系数电流产生电路，以及产生正温度系数电流；负温度系数电流电路，耦接上述正温度系数电流电路、包括负温度系数电流镜以及负温度系数电流产生电路，以及产生负温度系数电流；以及第一电阻，耦接上述正温度系数电流电路和上述负温度系数电流电路，其中当上述正温度系数电流以及上述负温度系数电流流经上述第一电阻，在上述第一电阻上产生基准电压，以及其中上述正温度系数电流电路以及上述负温度系数电流电路由金属氧化物半导体场效晶体管和电阻组成。2.如权利要求1所述的基准电压产生电路，还包括：启动电路，耦接上述正温度系数电流电路，以避免上述正温度系数电流电路工作在电流为0的兼并点上。3.如权利要求1所述的基准电压产生电路，其中上述正温度系数电流镜以及上述负温度系数电流镜是共模结构，或自偏压结构。4.如权利要求1所述的基准电压产生电路，其中上述正温度系数电流产生电路包括第一晶体管、第二晶体管以及第二电阻，其中上述第一晶体管和上述第二晶体管间具有栅源电压差，且根据上述第二电阻以及上述栅源电压差，上述正温度系数电流在上述第二电阻被产生。5.如权利要求4所述的基准电压产生电路，其中上述负温...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓光，周永奇，
申请(专利权)人：北京兆芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11