半导体器件制造技术

本发明专利技术的实施例提供了半导体器件。半导体器件包括衬底、位于衬底上方的第一III‑V化合物层、位于第一III‑V化合物层上的第一钝化层、源极区和漏极区。源极区穿过第一钝化层以电接触第一III‑V化合物层。漏极区穿过第一钝化层以电接触第一III‑V化合物层。与源极区接触的第一钝化层的侧壁包括阶梯状。

semiconductor device

Embodiments of the present invention provide a semiconductor device. A semiconductor device includes a substrate, a substrate above the first III V compound layer, located in the first III V compound layer on the first passivation layer, a source region and a drain region. The source region through the first passivation layer to electrically contact the first III V compound layer. Drain through the first passivation layer to electrically contact the first III V compound layer. The sidewalls of the first passivation layer in contact with the source region include a ladder like shape.

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
本专利技术的实施例通常地涉及半导体器件。
技术介绍
在半导体技术中，由于它们的特性，Ⅲ族-Ⅴ族(或Ⅲ-Ⅴ)半导体化合物用于形成诸如高功率场效应晶体管、高频晶体管或高电子迁移率晶体管(HEMT)的各种集成电路器件。HEMT是结合具有不同带隙的两种材料之间的结(即异质结)作为沟道而不是掺杂区(通常为金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的情况)的场效应晶体管。同MOSFET相比，HEMT具有包括高电子迁移率、传输高频信号的能力等许多具有吸引力的特性。从应用角度看，增强模式(E-mode)HEMT具有许多优势。E-modeHEMT允许负极性电压供给的消除，并且因此减小了电路复杂性和成本。尽管上述提到了具有吸引力的特性，但是在有关发展中的Ⅲ-Ⅴ半导体化合物基器件中仍存在许多挑战。针对这些Ⅲ-Ⅴ半导体化合物的配置和材料的各种技术已经进行了尝试并进一步提高了晶体管器件性能。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种半导体器件，包括：衬底；第一III-V化合物层，位于所述衬底上方；第一钝化层，位于所述第一III-V化合物层上；源极区，穿过所述第一钝化层以电接触所述第一III-V化合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：衬底；第一III‑V化合物层，位于所述衬底上方；第一钝化层，位于所述第一III‑V化合物层上；源极区，穿过所述第一钝化层以电接触所述第一III‑V化合物层；以及漏极区，穿过所述第一钝化层以电接触所述第一III‑V化合物层，其中，与所述源极区接触的所述第一钝化层的侧壁包括阶梯状。

【技术特征摘要】
2016.03.07 US 15/062,9721.一种半导体器件，包括：衬底；第一III-V化合物层，位于所述衬底上方；第一钝化层，位于所述第一III...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘圣得，周仲彦，刘世昌，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71