【技术实现步骤摘要】
高阻衬底上的GaNHEMT管芯结构
本专利技术涉及GaNHEMT器件结构
,特别是涉及一种高阻衬底上的GaNHEMT管芯结构。
技术介绍
GaNHEMT器件具有功率密度高、功率附加效率高以及应用频带宽等优点,在射频领域极具应用前景。目前,商用GaNHEMT管芯采用的衬底主要是半绝缘SiC衬底。半绝缘SiC衬底具有与GaN晶格适配小、散热性能好的优点。同时它也是一种良好的射频微波材料。研究发现一些高阻衬底如高阻SiC上制备GaNHEMT管芯能够降低GaNHEMT管芯的成本。但是高阻衬底并不是良好的射频材料,高阻衬底增加了管芯的栅极PAD和漏极PAD到地之间的寄生电导。导致高阻衬底上GaNHEMT器件的射频性能比半绝缘SiC衬底上GaNHEMT差。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足,提供一种高阻衬底上的GaNHEMT管芯结构,解决GaNHEMT器件的射频性能差的问题,具有降低射频信号在衬底上的损耗,提高器件射频性能的特点。为解决上述技术问题,本专利技术所采取的技术方案是:一种高阻衬底上的GaNHEMT管芯结构,其特征在于:自下而上包括接地层、衬底、沟道层、势垒层、绝缘介质、台面、填充区、栅极、源极和漏极;栅极和漏极下面为绝缘介质,栅极和漏极正下方的势垒层和沟道层被掏空形成填充区,填充区内填充金,接地层为金。优选地,栅极包括栅极金属和栅极PAD,栅极金属和栅极PAD通过带状金属连接;所述漏极包括漏极金属及合金和漏极PAD,漏极金属及合金和漏极PAD通过带状金属连接;源极包括源极金属及合金和源极PAD,源极金属及合金和源极PAD通 ...
【技术保护点】
一种高阻衬底上的GaN HEMT管芯结构,其特征在于:自下而上包括接地层(1)、衬底(2)、沟道层(3)、势垒层(4)、绝缘介质(5)、台面(9)、填充区(17)、栅极(6)、源极(7)和漏极(8);栅极(6)和漏极(8)下面为绝缘介质(5),栅极(6)和漏极(8)正下方的势垒层(4)和沟道层(3)被掏空形成填充区(17),填充区(17)内填充金,接地层(1)为金。
【技术特征摘要】
1.一种高阻衬底上的GaNHEMT管芯结构,其特征在于:自下而上包括接地层(1)、衬底(2)、沟道层(3)、势垒层(4)、绝缘介质(5)、台面(9)、填充区(17)、栅极(6)、源极(7)和漏极(8);栅极(6)和漏极(8)下面为绝缘介质(5),栅极(6)和漏极(8)正下方的势垒层(4)和沟道层(3)被掏空形成填充区(17),填充区(17)内填充金,接地层(1)为金。2.根据权利要求1所述的高阻衬底上的GaNHEMT管芯结构,其特征在于:所述栅极(6)包括栅极金属(15)和栅极PAD(12),栅极金属(15)和栅极PAD(12)通过带状金属(16)连接;所述漏极(8)包括漏极金属及合金(13)和漏极PAD(10),漏极金属及合金(13)和漏极PAD(10)通过带状金属(16)连接;源极(7)包括源极金属及合金(14)和源极PAD(11),源极金属及合金(14)和源极PAD(11)通过带状金属(16)连接。3.根据权利要求2所述的高阻衬底上的GaNHEMT管芯结构,其特征在于:所述漏极金属及合金(13)和...
【专利技术属性】
技术研发人员:宋旭波,吕元杰,敦少博,冯志红,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第十三研究所,
类型:发明
国别省市:河北,13
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。