半导体封装结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种半导体封装结构及其制作方法。半导体封装结构，包括金属片、介电层、图案化线路层、第一芯片以及封装胶体。介电层包覆金属片。介电层具有相对的第一表面与第二表面、位于第一表面上的至少一第一开口以及位于第二表面上的第二开口。金属片位于第二开口内，且分别暴露于第一表面与第二表面。图案化线路层配置于第二表面上。第一芯片配置于金属片上，其中第一芯片位于第二开口内，且电性连接于图案化线路层。封装胶体配置于第二表面上，且覆盖第一芯片与图案化线路层。另提出一种半导体封装结构的制作方法。本发明专利技术提供的半导体封装结构整体厚度较薄且具有良好的散热效果。

Semiconductor packaging structure and manufacturing method thereof

The invention provides a semiconductor packaging structure and a manufacturing method thereof. The semiconductor packaging structure comprises a metal sheet, a dielectric layer, a patterned circuit layer, a first chip, and a package colloid. Dielectric layer coated metal sheet. The dielectric layer has opposite first and second surfaces, at least one first opening on the first surface, and a second opening located on the second surface. The metal sheet is positioned in the second opening and is respectively exposed to the first surface and the second surface. The patterned circuit layer is disposed on the second surface. The first chip is arranged on the metal sheet, wherein the first chip is positioned in the second opening and is electrically connected with the patterned circuit layer. The encapsulation colloid is arranged on the second surface and covers the first chip and the patterned circuit layer. A method for manufacturing a semiconductor packaging structure is also provided. The semiconductor packaging structure provided by the invention has the advantages of thinner overall thickness and good heat dissipation effect.

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构及其制作方法
本专利技术涉及一种封装结构及其制作方法，尤其涉及一种半导体封装结构及其制作方法。
技术介绍
在半导体产业中，集成电路(IC)的生产主要可分为三个阶段：集成电路的设计、集成电路的制作以及集成电路的封装。在晶圆的集成电路制作完成之后，晶圆的主动面配置有多个接垫。最后，由晶圆切割所得的裸芯片可通过接垫，电性连接于承载器(carrier)。通常而言，承载器可为导线架(leadframe)、基板(substrate)或印刷电路板(printedcircuitboard)，而芯片可通过打线接合(wirebonding)或覆晶接合(flipchipbonding)等方式连接至承载器上，以使芯片的接垫与承载器的接点电性连接，进而构成芯片封装体。以封装基板为例，其大多具有核心层，故厚度较厚且成本较高。另一方面，为使芯片封装体具有良好的散热效率，现行的作法大多是将散热片贴附于芯片，并使包覆于芯片的封装胶体进一步包覆散热片。又或者是，将散热片贴附于封装胶体，并通过直接连接或间接连接的方式使散热片热耦接于芯片。因此，芯片封装体的整体厚度难以降低。
技术实现思路
本专利技术提供一种半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装结构的制作方法，其特征在于，包括：提供载板；配置金属片于所述载板上；形成介电层于所述载板上，并使所述介电层包覆所述金属片，其中所述介电层具有相对的第一表面与第二表面，且所述介电层以所述第一表面与所述载板相连接；形成图案化线路层于所述介电层的所述第二表面上；移除所述载板，以使所述散热片暴露于所述介电层的所述第一表面；移除部分所述介电层，以形成位于所述第一表面上的至少一第一开口以及位于所述第二表面上的第二开口，其中所述至少一第一开口暴露出部分所述图案化线路层，且所述第二开口暴露出所述金属片；配置第一芯片于所述金属片上，使所述第一芯片位于所述第二开口内，并电性连接所述图案化线路层；以及...

【技术特征摘要】
2016.03.08 TW 1051070091.一种半导体封装结构的制作方法，其特征在于，包括：提供载板；配置金属片于所述载板上；形成介电层于所述载板上，并使所述介电层包覆所述金属片，其中所述介电层具有相对的第一表面与第二表面，且所述介电层以所述第一表面与所述载板相连接；形成图案化线路层于所述介电层的所述第二表面上；移除所述载板，以使所述散热片暴露于所述介电层的所述第一表面；移除部分所述介电层，以形成位于所述第一表面上的至少一第一开口以及位于所述第二表面上的第二开口，其中所述至少一第一开口暴露出部分所述图案化线路层，且所述第二开口暴露出所述金属片；配置第一芯片于所述金属片上，使所述第一芯片位于所述第二开口内，并电性连接所述图案化线路层；以及形成封装胶体于所述介电层的所述第二表面上，并使所述封装胶体覆盖所述第一芯片与所述图案化线路层。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于，还包括：形成至少一外部连接端子于所述至少一第一开口内，且所述至少一外部连接端子电性连接所述图案化线路层。3.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于，还包括：在形成所述封装胶体于所述介电层的所述第二表面上之前，配置第二芯片于所述介电层的所述第二表面的上方，并使所述第二芯片电性连接于所述图案化线路层。4.根据权利要求3所述的半导体封装结构的制作方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宪章，
申请(专利权)人：南茂科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71