电阻式随机存取存储器结构及其制造方法技术

一种电阻式随机存取存储器结构及其制造方法，本方法包括形成一第一介电层位于一基底上。图案化第一介电层以形成多个开口，并形成多个底电极于开口中。形成一过渡金属氧化层覆盖底电极并延伸至部分第一介电层上，其中底电极与过渡金属氧化层的一侧壁的最短距离为一第一距离，且第一距离介于10nm至200μm。之后，形成一顶电极于过渡金属氧化层上。本发明专利技术的电阻式随机存取存储器结构中，过渡金属氧化层覆盖多个底电极，且过渡金属氧化层的侧壁位于底电极的侧壁之外。藉此，可降低底电极受到后续工艺的损害。

Resistance type random access memory structure and manufacturing method thereof

The invention relates to a resistive random access memory structure and a manufacturing method thereof. The method comprises forming a first dielectric layer on a substrate. A first dielectric layer is patterned to form a plurality of openings and to form a plurality of bottom electrodes in the opening. The formation of a transition metal oxide layer covering the bottom electrode and extends to a portion of the first dielectric layer, wherein the shortest distance between the side wall of the bottom electrode and transition metal oxide layer for a first distance, and a first distance ranged from 10nm to 200 m. After that, a top electrode is formed on the transition metal oxide layer. In the resistive random access memory structure of the present invention, the transition metal oxide layer covers a plurality of bottom electrodes, and the sidewalls of the transition metal oxide layer are located outside the sidewalls of the bottom electrode. Thereby, the bottom electrode can be damaged by the subsequent process.

【技术实现步骤摘要】
电阻式随机存取存储器结构及其制造方法
本专利技术关于一种电阻式随机存取存储器结构，特别是关于一种过渡金属氧化层的侧壁与底电极的侧壁不对齐的电阻式随机存取存储器结构及其制造方法。
技术介绍
非挥发性存储器(non-volatilememory)具有存入的数据在断电后也不会消失的优点，因此是许多电器产品维持正常操作所必备的存储元件。目前，电阻式随机存取存储器(resistiverandomaccessmemory，RRAM)是业界积极发展的一种非挥发性存储器，其具有写入操作电压低、写入擦除时间短、存储时间长、非破坏性读取、多状态存储、结构简单以及所需面积小等优点，在未来个人电脑和电子设备上极具应用潜力。然而，在生产电阻式随机存取存储器时，随着装置尺寸的微缩化，需要维持电阻式随机存取存储器结构的均匀性(uniformity)，以及避免工艺中底电极受到损害，仍有许多挑战亟待克服。因此，需要一个新的电阻式随机存取存储器结构及其改良工艺。
技术实现思路
本专利技术提供一种电阻式随机存取存储器结构及其制造方法，可降低底电极受到后续工艺的损害。本专利技术一实施例提供一种电阻式随机存取存储器结构，包括：一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电阻式随机存取存储器结构，其特征在于，包括：第一介电层，形成于基底上；多个底电极，分别埋设于所述第一介电层；过渡金属氧化层，覆盖所述多个底电极且延伸至部分所述第一介电层上，其中所述底电极与所述过渡金属氧化层的侧壁的最短距离为第一距离，且所述第一距离介于10nm至200μm；以及顶电极，形成于所述过渡金属氧化层上。

【技术特征摘要】
1.一种电阻式随机存取存储器结构，其特征在于，包括：第一介电层，形成于基底上；多个底电极，分别埋设于所述第一介电层；过渡金属氧化层，覆盖所述多个底电极且延伸至部分所述第一介电层上，其中所述底电极与所述过渡金属氧化层的侧壁的最短距离为第一距离，且所述第一距离介于10nm至200μm；以及顶电极，形成于所述过渡金属氧化层上。2.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器结构，其特征在于，最靠近所述过渡金属氧化层的所述侧壁的所述底电极具有第一宽度，且所述第一距离不小于所述第一宽度。3.如权利要求2所述的电阻式随机存取存储器结构，其特征在于，所述第一宽度与所述第一距离的比例介于1:1至1:2000。4.如权利要求2所述的电阻式随机存取存储器结构，其特征在于，所述多个底电极包括一最小间距，且所述第一距离为所述最小间距的十分之一至十倍之间。5.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器结构，其特征在于，所述多个底电极的上表面与所述第一介电层的上表面齐平。6.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器结构，其特征在于，更包括氧反应层，位于所述顶电极与所述过渡金属氧化层之间，其中所述氧反应层包括钛、铪、钽、锆、铝、镍或其组合。7.如权利要求6所述的电阻式随机存取存储器结构，其特征在于，所述氧反应层具有数个相互隔离的区段，分别对应所述多个底电极。8.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器结构，其特征在于，更包括：第二介电层，设置于所述顶电极上；以及介层插塞，埋设于所述第二介电层中并且与所述顶电极电性连接，其中所述介层插塞与任一所述多个底电极错位设置。9.一种电阻式随机存取存储器结构的制造方法，其特征在于，包括：形成第一介电层位于基底上；图案化所述第一介电层以形成多个第一开口；形成多个底电极于所述多个第一开口中；形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宜秀，谢明宏，许博砚，沈鼎瀛，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71