存储器件制造技术

本公开提供一种存储器件。该存储器件包括：第一电极线层，包括在第一方向上在基板上延伸并彼此间隔开的多个第一电极线；第二电极线层，包括在第二方向上在第一电极线层上延伸并彼此间隔开的多个第二电极线，该第二方向不同于第一方向；以及存储单元层，包括位于多个第一电极线和多个第二电极线之间的多个交叉点处的多个第一存储单元，每个第一存储单元包括顺序地堆叠的选择器件层、中间电极和可变电阻层。可变电阻层的侧表面垂直于基板的顶表面或被倾斜以朝向可变电阻层的上部逐渐更宽。第一存储单元具有侧表面斜坡从而具有朝向其上部逐渐减小的宽度。

【技术实现步骤摘要】
存储器件
所公开的构思涉及一种存储器件及其制造方法，更具体地，涉及具有堆叠的交叉点阵列结构的存储器件及其制造方法。
技术介绍
由于存在增长的趋势使电子产品重量轻、薄且小尺寸，所以对高度集成的半导体器件的需求已经增长。此外，已经提出具有堆叠的交叉点阵列结构的存储器件，其中存储单元位于彼此相交的两个电极之间的交叉点处。然而，由于对具有堆叠的交叉点阵列结构的存储器件的按比例缩小(downscaling)的增大的需求，需要减小存储器件中包括的所有的层的尺寸。然而，由于减小存储器件的尺寸，在制造存储器件的工艺期间会产生各种缺陷，从而使存储器件的可靠性劣化并降低批量生产率。
技术实现思路
所公开的构思提供一种通过最小化可变电阻层的蚀刻损坏并抑制未对准而具有改善的可靠性的存储器件以及制造该存储器件的方法。根据一些方面，本公开指向一种存储器件，该存储器件包括：第一电极线层，包括在基板上在第一方向上延伸并彼此间隔开的多个第一电极线；第二电极线层，包括形成在第一电极线层上并在第二方向上延伸且彼此间隔开的多个第二电极线，该第二方向不同于第一方向；以及存储单元层，包括位于所述多个第一电极线和所述多个第二电极线的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器件，包括：第一电极线层，包括在基板上在第一方向上延伸并彼此间隔开的多个第一电极线；第二电极线层，包括形成在所述第一电极线层上并在第二方向上延伸且彼此间隔开的多个第二电极线，该第二方向不同于所述第一方向；以及存储单元层，包括位于所述多个第一电极线和所述多个第二电极线的交叉点处的多个第一存储单元，每个第一存储单元包括顺序地堆叠的选择器件、中间电极和可变电阻层，其中所述可变电阻层的侧表面垂直于所述基板的顶表面或倾斜以朝向所述可变电阻层的上部逐渐更宽，并且其中所述多个第一存储单元的每个具有侧表面斜坡使得所述多个第一存储单元的每个的宽度朝向其上部逐渐减小。

【技术特征摘要】
2016.02.22 KR 10-2016-00207001.一种存储器件，包括：第一电极线层，包括在基板上在第一方向上延伸并彼此间隔开的多个第一电极线；第二电极线层，包括形成在所述第一电极线层上并在第二方向上延伸且彼此间隔开的多个第二电极线，该第二方向不同于所述第一方向；以及存储单元层，包括位于所述多个第一电极线和所述多个第二电极线的交叉点处的多个第一存储单元，每个第一存储单元包括顺序地堆叠的选择器件、中间电极和可变电阻层，其中所述可变电阻层的侧表面垂直于所述基板的顶表面或倾斜以朝向所述可变电阻层的上部逐渐更宽，并且其中所述多个第一存储单元的每个具有侧表面斜坡使得所述多个第一存储单元的每个的宽度朝向其上部逐渐减小。2.如权利要求1所述的存储器件，其中每个所述第一存储单元包括围绕所述可变电阻层的所述侧表面的间隔物，其中所述间隔物的外侧表面构成所述多个第一存储单元的所述侧表面斜坡的一部分。3.如权利要求2所述的存储器件，其中所述间隔物具有朝向其上部逐渐减小的宽度。4.如权利要求1所述的存储器件，还包括：第一绝缘层，在所述第一方向上延伸并设置在所述多个第一电极线之间；和第二绝缘层，设置在所述多个第一存储单元之间，其中所述第一电极线具有在所述多个第一存储单元之间形成在其上部中并沿着所述第一方向设置的第一凹陷，并且其中所述第一绝缘层具有在所述多个第一存储单元之间形成在其上部中并沿着所述第二方向设置的第二凹陷。5.如权利要求1所述的存储器件，还包括：第一绝缘层，设置在所述多个第一电极线之间以及在所述多个第一存储单元之间，其中所述第一绝缘层的设置在所述第一电极线之间的部分在所述第一方向上延伸。6.如权利要求1所述的存储器件，其中所述中间电极包括与所述可变电阻层的底表面接触的加热电极，其中所述加热电极包括导电材料。7.如权利要求6所述的存储器件，其中所述中间电极包括设置在所述加热电极下面并配置为抑制热传递的至少一个热阻挡层，其中所述中间电极具有用所述至少一个热阻挡层和导电材料层交替地堆叠的堆叠结构。8.如权利要求1所述的存储器件，其中每个所述第一存储单元包括与所述多个第二电极线接触并形成在所述可变电阻层上的顶电极层。9.如权利要求8所述的存储器件，其中每个所述第一存储单元包括围绕所述可变电阻层的侧表面和所述顶电极层的侧表面的间隔物或围绕所述顶电极层的侧表面的间隔物。10.如权利要求8所述的存储器件，其中所述顶电极层在所述第二方向上延伸，并接触所述多个第二电极线的底表面或围绕所述多个第二电极线的所述底表面和侧表面。11.如权利要求1所述的存储器件，其中所述可变电阻层的底表面的水平横截面面积小于所述中间电极层的顶表面的水平横截面面积，其中所述中间电极层的与所述可变电阻层接触的顶部被凹陷。12.如权利要求1所述的存储器件，其中所述可变电阻层包括GeSbTe、InSbTe和BiSbTe中的至少一种，或具有通过交替地且重复地堆叠GeTe层和SbTe层形成的超晶格结构。13.如权利要求1所述的存储器件，其中所述选择器件形成为双向阈值开关器件、二极管和晶体管中的至少一个。14.如权利要求1所述的存储器件，其中所述选择器件形成为双向阈值开关器件，所述双向阈值开关器件在砷的基础上包括硅、锗、锑、碲、硒、铟和锡中的至少两种，或在硒...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑智贤，高宽协，姜大焕，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR