具有隔热区域的电阻式存储器制造技术

一种包括存储器单元的电阻式存储器，所述存储器单元具有第一电极、第二电极、和在所述第一电极与第二电极之间的电阻式存储器元件。所述存储器单元包括隔热区域。隔热区域可被包含在存储器单元的至少一个电极中，和/或在电绝缘区域内。隔热区域可把热约束在存储器单元内，从而能够减小为把信息写入电阻式存储器元件中所需的电流和/或电压。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有隔热区域的电阻式存储器相关申请的交叉引用本申请要求2014年10月10日提交的美国在先专利申请US14/511818的权益，该申请的整个内容通过引用包含在本文中。
记载在本文中的技术涉及存储信息的存储器，尤其涉及提高具有电阻式存储器元件的存储器单元的温度的技术。按照一些实施例，在存储器单元中可包括隔热区域，以提高存储器单元的温度，这可允许降低为把信息写入存储器单元所需的电压和/或电流。
技术介绍
存储器常常在计算设备和系统中用于保存信息，比如程序和/或程序数据。开发了各种存储器技术，包括各种易失性和非易失性存储器。易失性存储器可能需要电力来保持存储器中的信息的存储。易失性存储器的常见例子是动态随机存取存储器(DRAM)。相比之下，非易失性存储器被设计成在未向存储器提供电力的时候，保持保存在存储器中的信息。非易失性存储器的常见例子是闪存(例如，NAND闪存)。
技术实现思路
一些实施例涉及包括存储器单元的电阻式存储器。所述存储器单元包括具有隔热区域的顶电极、底电极和在所述顶电极与所述底电极之间的电阻式存储器元件。一些实施例涉及包括存储器单元的电阻式存储器。所述存储器单元包括第一电极、具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电阻式存储器，包括：存储器单元，所述存储器单元包含：具有隔热区域的顶电极；底电极；以及在所述顶电极与所述底电极之间的电阻式存储器元件。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.10 US 14/511,8181.一种电阻式存储器，包括：存储器单元，所述存储器单元包含：具有隔热区域的顶电极；底电极；以及在所述顶电极与所述底电极之间的电阻式存储器元件。2.按照权利要求1所述的电阻式存储器，其中所述隔热区域包含隔热材料。3.按照权利要求2所述的电阻式存储器，其中隔热材料包含氮化钛材料、氮化钽材料以及多孔金属中的至少一种。4.按照权利要求1所述的电阻式存储器，其中所述隔热区域包含顶电极的第一区域，所述第一区域的横截面面积小于顶电极的第二区域的横截面面积。5.按照权利要求4所述的电阻式存储器，其中第一区域的横截面面积小于顶电极的第二区域的横截面面积的1/5。6.按照权利要求1所述的电阻式存储器，其中所述存储器单元还包括隔热介电材料。7.按照权利要求1所述的电阻式存储器，其中所述隔热区域被构造成把热约束在所述存储器单元内。8.一种电阻式存储器，包括：存储器单元，所述存储器单元包含：第一电极；包括隔热区域的第二电极；以及在所述第一电极与所述第二电极之间的ReRAM存储器元件。9.按照权利要求8所述的电阻式存储器，其中所述隔热区域包含隔热材料。10.按照权利要求9所述的电阻式存储器，其中所述隔热材料包含氮化钛材料、氮化钽材料以及多孔金属中的至少一种。11.按照权利要求8所述的电阻式存储器，其中所述隔热区域包含第二电极的第一区域，所述第一区域的横截面面积小于第二电极的第二区域的横截面面积。12.一种电阻式存储器，包括：存储器单元，所述存储器单元包含：第一电极；第二电极；在所述第一电极与所述第二电极之间的电阻式存储器元件；以及至少部分地填充第一电极中的空腔的电绝缘区域，其中所述存储器单元包含隔热区域。13.按照权利要求12所述的电阻式存储器，其中所述电绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：B·库克，N·拉马斯瓦迈，保田周一郎，S·西尔斯，宫田幸儿，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP