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电阻式随机存取存储器结构及其制造方法技术
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文档序号:16189712
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一种电阻式随机存取存储器结构及其制造方法,本方法包括形成一第一介电层位于一基底上。图案化第一介电层以形成多个开口,并形成多个底电极于开口中。形成一过渡金属氧化层覆盖底电极并延伸至部分第一介电层上,其中底电极与过渡金属氧化层的一侧壁的最短距离...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。
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