一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器及其制备方法技术
【技术实现步骤摘要】
一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器及其制备方法技术背景本专利技术涉及阻变存储器领域，具体地说，涉及一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器及其制备方法。
技术介绍
存储器是电子设备最基本的元器件之一，是现代信息技术的重要组成部分。随着现代信息技术的快速发展，数据的处理能力不断增强，数据量急剧增长，因此，人们希望可以获得性能优良、价格低廉的存储芯片来存储海量的数据。近年来，一类基于器件阻值变化的新型的非易失性存储器（阻变存储器），因其拥有器件结构简单、读写速度快、擦写耐受力高、数据保持时间长等优势，在半导体存储领域快速发展。其中，非易失性一次写入多次读取（WORM）存储器，因其信息存储状态不依赖外界电源供并且具备一写多读的数据存储性能，使得它在降低系统能耗以及信息存储可靠性、安全性以及永久性等方面起了重要作用。而目前的WORM阻变存储器由于制备工艺复杂、制作成本高等缺点，限制了其在工业化应用的广泛发展。Lai、Liu等人通过对存储介质材料中的绝缘聚合物进行掺杂金属或者导电聚合物改性的方法，在实加电压的过程中，通过改性后的存储介质层能够对电子的捕获和释放，...
【技术保护点】
一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器，其特征在于：包括衬底，衬底之上依次为底电极、存储介质层、顶电极，所述的存储介质层是纯绝缘性聚合物层。
【技术特征摘要】
1.一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器，其特征在于：包括衬底，衬底之上依次为底电极、存储介质层、顶电极，所述的存储介质层是纯绝缘性聚合物层。2.根据权利要求1所述的一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器，其特征在于：所述的纯绝缘性聚合物层的制备方法是将纯绝缘性聚合物溶于溶剂后，旋涂于底电极上，烘干。3.根据权利要求1或2所述的一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器，其特征在于：所述的纯绝缘性聚合物层中的纯绝缘性聚合物包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚乙烯吡咯烷酮。4.根据权利要求3所述的一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器，其特征在于：所述的存储介质层的厚度为60nm-80nm。5.根据权利要求1所述的一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器，其特征在于：所述的衬底是硅片衬底，所述的顶电极是Al电极、Ag电极中的一种。6.根据权利要求1所述的一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器，其特征在于：所述的底电极是还原氧化石墨烯电极。7.一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器的制备方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘举庆，陈洁，黄维，
申请(专利权)人：南京工业大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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