包括用于可调气流控制的气体分流器的气体供应输送装置制造方法及图纸

用于利用通过至少第一、第二和第三气体注射区域引入的气体处理衬底的等离子体处理系统的气体供应输送装置包括处理气体供应入口和调节气体入口。混合歧管包括与处理气体供应装置流体连通的气体棒和与调节气体供应装置流体连通的调节气体棒。第一气体出口将气体输送到第一气体注射区域，第二气体出口将气体输送到第二气体注射区域，而第三气体出口将气体输送到第三气体注射区域。气体分流器与混合歧管流体连通，并且包括第一阀装置，所述第一阀装置将离开混合歧管的混合气体分成供应到第一气体出口的第一混合气体和供应到第二和/或第三个出口的第二混合气体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括用于可调气流控制的气体分流器的气体供应输送装置相关申请的交叉引用本申请在35U.S.C.§119(e)下要求于2014年10月17日提交的美国临时申请No.62/065,497的优先权，该申请的全部内容通过引用并入本文。
技术介绍
在等离子体处理装置中处理半导体结构，所述等离子体处理装置包括等离子体处理室、将处理气体供应到室中的气体源和由处理气体产生等离子体的能量源。半导体结构在这种装置中通过包括干法蚀刻工艺、沉积工艺(例如，金属、电介质和半导体材料的化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积或等离子体增强化学气相沉积(PECVD))和抗蚀剂剥离工艺的技术来处理。不同的处理气体用于这些处理技术以及处理半导体结构的不同材料。
技术实现思路
本文公开了一种用于将处理气体供应到等离子体处理系统的室的气体供应输送装置，其中利用通过至少第一、第二和第三气体注射区域引入的气体来处理半导体衬底。所述气体供应输送装置包括多个处理气体供应入口和多个调节气体入口。混合歧管包括多个气体供应棒，每个气体供应棒适于提供与相应处理气体供应装置的流体连通，以及多个调节气体棒，每个调节气体棒适于提供与相应的调节气体供应装置的流本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于将处理气体供应到等离子体处理系统的室的气体供应输送装置，其中利用通过至少第一、第二和第三气体注射区域引入的气体对半导体衬底进行处理，所述气体供应输送装置包括：多个处理气体供应入口和多个调节气体入口；混合歧管，其包括多个气体供应棒，每个气体供应棒适于提供与相应处理气体供应装置的流体连通；多个调节气体棒，每个调节气体棒适于提供与相应调节气体供应装置的流体连通；适于将气体输送到所述第一气体注射区域的第一气体出口，适于将气体输送到所述第二气体注射区域的第二气体出口，以及适于将气体输送到所述第三气体注射区域的第三气体出口；与所述混合歧管流体连通的气体分流器，所述气体分流器包括第一阀装置，所述第一...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.17 US 62/065,4971.一种用于将处理气体供应到等离子体处理系统的室的气体供应输送装置，其中利用通过至少第一、第二和第三气体注射区域引入的气体对半导体衬底进行处理，所述气体供应输送装置包括：多个处理气体供应入口和多个调节气体入口；混合歧管，其包括多个气体供应棒，每个气体供应棒适于提供与相应处理气体供应装置的流体连通；多个调节气体棒，每个调节气体棒适于提供与相应调节气体供应装置的流体连通；适于将气体输送到所述第一气体注射区域的第一气体出口，适于将气体输送到所述第二气体注射区域的第二气体出口，以及适于将气体输送到所述第三气体注射区域的第三气体出口；与所述混合歧管流体连通的气体分流器，所述气体分流器包括第一阀装置，所述第一阀装置将离开所述混合歧管的混合气体分离成能供应到所述第一气体出口的第一混合气体和能供应到所述第二和/或第三气体出口的第二混合气体；选择性地将调节气体从所述调节气体棒输送到所述第一、第二和/或第三气体出口的第二阀装置。2.根据权利要求1所述的气体供应输送装置，其中所述第二阀装置包括第一组阀、第二组阀、第三组阀、以及第四组阀，所述第一组阀选择性地将第一调节气体输送到与所述第一气体出口、所述第二气体出口、所述第三气体出口或其组合流体连通的第一调节气体管道，所述第二组阀选择性地将第二调节气体输送到与所述第一气体出口、所述第二气体出口、所述第三气体出口或其组合流体连通的第二调节气体管道，所述第三组阀选择性地将第三调节气体输送到与所述第一气体出口、所述第二气体出口、所述第三气体出口或其组合流体连通的第三调节气体管道，所述第四组阀选择性地将第四调节气体输送到与所述第一气体出口、所述第二气体出口、所述第三气体出口或其组合流体连通的第四调节气体管道。3.根据权利要求2所述的气体供应输送装置，其中所述第二组阀包括将所述第一、第二、第三和第四调节气体棒选择性地连接到所述混合歧管和/或吹扫管线的阀。4.根据权利要求2所述的气体供应输送装置，其中所述第一阀装置包括第一阀组、第二阀组、和第三阀组，所述第一阀组具有精确地控制所述第一混合气体的比例并将所述第一混合气体输送到所述第一气体出口的关键孔；所述第二阀组具有控制所述第二混合气体的比例并将所述第二混合气体输送到所述第二和/或第三气体出口的关键孔，所述第三阀组将所述混合气体输送到所述第二和/或第三气体出口。5.根据权利要求1所述的气体供应输送装置，其中所述第一阀装置将所述第一混合气体仅输送到所述第一气体出口，并将所述第二混合气体仅输送到所述第二和/或第三气体出口。6.一种等离子体处理系统，其包括根据权利要求1所述的气体供应输送装置，其中所述等离子体处理系统包括：室，半导体衬底在其上在所述室中被处理的衬底支撑件，连接到所述气体供应输送系统的所述气体出口的气体注射系统，能操作以将所述室维持在期望的真空压力下的真空源，以及能操作以将所述室中的气体激励成等离子体的电源；所述气体注射系统将气体从所述气体供应输送装置输送到所述半导体衬底上方的至少第一、第二和第三区域。7.根据权利要求6所述的等离子体处理系统，其中所述第一区域是所述半导体衬底的中心区域，所述第二区域是围绕所述中心区域的中间区域，所述第三区域是围绕所述中间区域的边缘区域。8.根据权利要求6所述的等离子体处理系统，其中所述室是电感耦合等离子体处理室，在所述电感耦合等离子体处理室中，所述气体注射系统是气体分配板。9.根据权利要求6所述的等离子体处理系统，其中所述室是电容耦合等离子体处理室，在所述电容耦合等离子体处理室中，所述气体注射系统是喷头电极。10.一种使用气体供应输送装置以用于将处理气体供应到等离子体处理系统的室中的方法，其中半导体衬底利用通过至少第一、第二和第三气体注射区域引入的气体来处理，所述气体供应输送装置包括：多个处理气体供应入口和多个调节气体入口；混合歧管，其包括多个气体供应棒，每个气体供应棒适于提供与相应处理气体供应装置的流体连通；多个调节气体棒，每个调节气体棒适于提供与相应调节气体供应装置的流体连通；适于将气体输送到所述第一气体注射区域的第一气体出口，适于将气体输送到所述第二气体注射区域的第二气体出口，以及适于将气体输送到所述第三气体注射区域的第三气体出口；与所述混合歧管流体连通的气体分流器，所述气体分流器包括第一阀装置，所述第一阀装置将离开所述混合歧管的混合气体分离成能供应到所述第一气体出口的第一混合气体和能供应到所述第二和/或第三气体出口的第二混合气体；以及第二阀装置，其选择性地将调节气体从所述调节气体棒输送到所述第一、第二和/或第三气体出口，其中所述方法包括：操作所述第一阀装置以将所述第一混合气体输送到所述第一气体出口，并将所述第二混合气体输送到所述第二和/或第三气体出口；以及操作所述第二阀装置以将一种或多种调节气体输送到所述第一、第二和/或第三气体出口。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第二阀装置包括第一组阀、第二组阀、第三组阀、以及第四组阀，所述第一组阀选择性地将第一调节气体输送到与所述第一气体出口、所述第二气体出口、所述第三气体出口或其组合流体连通的第一调节气体管道，所述第二组阀选择性地将第二调节气体输送到与所述第一气体出口、所述第二气体出口、所述第三气体出口或其组合流体连通的第二调节气体管道，所述第三组阀选择性地将第三调节气体输送到与所述第一气体出口、所述第二气体出口、所述第三气体出口或其组合流体连通的第三调节气体管道，所述第四组阀选择性地将第四调节气体输送到与所述第一气体出口、所述第二气体出口、所述第三气体出口或其组合流体连通的第四调节气体管道；所述方法包括将至少一种所述调节气体输送到所述第一、第二和/或第三气体出口，同时绕过所述气体分流器。12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第二组阀包括选择性地将所述第一、第二、第三和第四调节气体棒连接到所述混合歧管和/或吹扫管线的阀，所述方法包括将每种调节气体输送至所述吹扫管线或所述混合歧管。13.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一阀装置包括第一阀组、第二阀组、和第三阀组，所述第一阀组具有精确地控制所述第一混合气体的比例并将所述第一混合气体输送到所述第一气体出口的关键孔；所述第二阀组具有控制所述第二混合气体的比例并将所述第二混合气体...

【专利技术属性】
技术研发人员：马克·塔斯卡尔，伊克巴尔·谢里夫，安东尼·泽姆洛克，赖安·拜斯，南森·库格朗德，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国,US