n型扩散层形成组合物、n型扩散层的制造方法及太阳能电池元件的制造方法技术

本发明专利技术提供含有包含施主元素且粒径d90为0.1μm～1.5μm的玻璃粉末和分散介质的n型扩散层形成组合物、以及使用该n型扩散层形成组合物的n型扩散层的制造方法及太阳能电池元件的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】n型扩散层形成组合物、n型扩散层的制造方法及太阳能电池元件的制造方法
本专利技术涉及一种n型扩散层形成组合物、n型扩散层的制造方法及太阳能电池元件的制造方法。
技术介绍
以下，对使用例如p型硅基板作为半导体基板的以往的硅太阳能电池元件的制造工序进行说明。首先，为了促进陷光效应而实现高效率化，准备在受光面形成有纹理结构的p型硅基板。对该p型硅基板，在作为含施主元素化合物的氧氯化磷(POCl3)、氮气及氧气的混合气体气氛中以800℃～900℃进行数十分钟的处理而均匀地形成n型扩散层。在该以往的方法中，使用混合气体进行磷的扩散，因此不仅在p型硅基板的表面形成n型扩散层，而且还在侧面及背面也形成n型扩散层。因此，需要用于除去侧面的n型扩散层的侧蚀刻工序。另外，背面的n型扩散层需要转换为p+型扩散层，在背面的n型扩散层上赋予铝糊剂而通过铝的扩散从n型扩散层转换为p+型扩散层。另一方面，在半导体的制造领域中，如日本特开2002-75894号公报所记载的那样，提出了通过含有磷酸二氢铵(NH4H2PO4)等磷酸盐作为含施主元素化合物的溶液的涂布而形成n型扩散层的方法。另外，如专利第4073968号公本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种n型扩散层形成组合物，其含有包含施主元素的粒径d90为0.1μm～1.5μm的玻璃粉末、和分散介质。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.30 JP 2014-2220121.一种n型扩散层形成组合物，其含有包含施主元素的粒径d90为0.1μm～1.5μm的玻璃粉末、和分散介质。2.根据权利要求1所述的n型扩散层形成组合物，其中，所述玻璃粉末的平均粒径d50为0.05μm～0.5μm。3.根据权利要求1或2所述的n型扩散层形成组合物，其中，所述施主元素为选自磷P及锑Sb中的至少1种。4.根据权利要求1～3中任一项所述的n型扩散层形成组合物，其中，所述玻璃粉末含有选自P2O3、P2O5及Sb2O3中的至少1种含施主元素物质和选自SiO2、K2O、Na2O、L...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤铁也，野尻刚，仓田靖，芦泽寅之助，岩室光则，织田明博，清水麻理，佐藤英一，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP