晶片封装体及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括：一基底，基底内的一感测区或元件区电性连接至一导电垫；一第一绝缘层，位于基底上；一重布线层，位于第一绝缘层上，重布线层的一第一部分及一第二部分电性连接至导电垫；一第二绝缘层，顺应性地延伸于第一绝缘层上且包覆第一部分及第二部分的侧表面；一保护层，位于第二绝缘层上，第二绝缘层的一部分位于保护层与第一绝缘层之间。本发明专利技术可大幅提升晶片封装体的品质及可靠度。

【技术实现步骤摘要】
晶片封装体及其制造方法
本专利技术有关于一种半导体封装技术，特别为有关于一种晶片封装体及其制造方法。
技术介绍
晶片封装制程是形成电子产品过程中的重要步骤。晶片封装体除了将晶片保护于其中，使其免受外界环境污染外，还提供晶片内部电子元件与外界的电性连接通路，例如晶片封装体内具有导线以形成导电路径。随着电子产品逐渐朝向小型化发展，晶片封装体的尺寸也逐渐缩小。然而，当晶片封装体的尺寸缩小时，导线的厚度及宽度变小，且导线与导线之间的间距也变窄，使得密集的线路区域内容易产生电路故障的问题。举例来说，由金属所构成的导线与导线之间可能出现电迁移(electromigration)的现象及/或产生贾凡尼效应(Galvanic)，因而造成电性短路及/或断路的问题，导致晶片封装体的品质及可靠度降低。因此，有必要寻求一种新颖的晶片封装体及其制造方法，其能够解决或改善上述的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种晶片封装体，包括：一基底，基底内的一感测区或元件区电性连接至一导电垫；一第一绝缘层，位于基底上；一重布线层，位于第一绝缘层上，重布线层的一第一部分及一第二部分电性连接至导电垫；一第二绝缘层，顺应性地延伸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片封装体，其特征在于，包括：基底，其中该基底内的感测区或元件区电性连接至导电垫；第一绝缘层，位于该基底上；第一重布线层，位于该第一绝缘层上，其中该第一重布线层的第一部分及第二部分电性连接至该导电垫；第二绝缘层，其中该第二绝缘层顺应性地延伸于该第一绝缘层上且包覆该第一部分及该第二部分的侧表面；以及保护层，位于该第二绝缘层上，其中该第二绝缘层的一部分位于该保护层与该第一绝缘层之间。

【技术特征摘要】
2016.03.01 US 62/301,7951.一种晶片封装体，其特征在于，包括：基底，其中该基底内的感测区或元件区电性连接至导电垫；第一绝缘层，位于该基底上；第一重布线层，位于该第一绝缘层上，其中该第一重布线层的第一部分及第二部分电性连接至该导电垫；第二绝缘层，其中该第二绝缘层顺应性地延伸于该第一绝缘层上且包覆该第一部分及该第二部分的侧表面；以及保护层，位于该第二绝缘层上，其中该第二绝缘层的一部分位于该保护层与该第一绝缘层之间。2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第二绝缘层的该部分与该第一绝缘层及该保护层直接接触。3.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第二绝缘层的该部分夹设于该第一重布线层的该第一部分与该第二部分之间。4.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括导电结构，其中该导电结构位于该第一重布线层的该第二部分上，且该导电结构的下部被该保护层及该第二绝缘层所环绕。5.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第二绝缘层的另一部分侧向地夹设于该第一重布线层的该第一部分与该保护层之间。6.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第二绝缘层的材料不同于该保护层的材料。7.一种晶片封装体，其特征在于，包括：基底，其中该基底内的感测区或元件区电性连接至导电垫；第一绝缘层，位于该基底上；第一重布线层，位于该第一绝缘层上，其中该第一重布线层的第一部分电性连接至该导电垫；以及第二重布线层，其中该第二重布线层的第一部分位于该第一重布线层的该第一部分上，且该第二重布线层的第二部分直接接触该第一绝缘层。8.根据权利要求7所述的晶片封装体，其特征在于，该第二重布线层的该第二部分纵向地重叠于该感测区或元件区。9.根据权利要求7所述的晶片封装体，其特征在于，该第一重布线层的该第一部分局部夹设于该第一绝缘层与该第二重布线层的该第一部分之间。10.根据权利要求7所述的晶片封装体，其特征在于，该第一重布线层的该第一部分局部夹设于该导电垫与该第二重布线层的该第一部分之间。11.根据权利要求7所述的晶片封装体，其特征在于，该第二重布线层的该第二部分的底表面低于该第二重布线层的该第一部分的底表面，且与该第一重布线层的该第一部分的底表面共平面。12.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：林佳升，赖炯霖，陈瑰玮，
申请(专利权)人：精材科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71